Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 34

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC059N04LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC059N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 62А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC060N10NS3GATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC060N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 90А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC061N08NS5ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC061N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 82А; 74Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC066N06NSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC066N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 64А; 46Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC067N06LS3GATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC067N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC070N10NS3GATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC070N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 90А; 114Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC070N10NS5ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC070N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 90А; 114Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC072N08NS5ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC072N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 74А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC076N06NS3GATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC076N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC077N12NS3GATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC077N12NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 98А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC080N03MSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
113.95 
Доступность: 254 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC080N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 53А; 35Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC082N10LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC082N10LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC0901NSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0901NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC0901NSIATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
86.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0901NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC0902NSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
55.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0902NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 91А; 48Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC0902NSIATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
166.67 
Доступность: 4433 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC0902NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC0904NSIATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0904NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 66А; 37Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC0906NSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
134.35 
Доступность: 2395 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC0906NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC0909NSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
158.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0909NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 34В; 44А; 27Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC090N03LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC090N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; 32Вт; PG-TDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж