Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 35

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0910NDIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток25В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0911NDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0923NDIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0924NDIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 2,5Вт; PG-TISON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
57.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0925NDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 30Вт; PG-TISON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
112.39 
Доступность: 3195 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC093N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
58.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC097N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 46А; 36Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC098N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,8нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
45.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; Idm: 176А; 30Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
217.13 
Доступность: 2049 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC100N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC105N10LSFGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 90А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC109N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 63А; 78Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
53.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC110N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 50Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
0.00 
Нет в наличии
 
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC117N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 49А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC118N10NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 71А; 114Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
103.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC120N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 33А; 28Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
58.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC120N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 28Вт; PG-TDSON-8" 3.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
126.91 
Доступность: 3152 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC123N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC123N10LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 71А; 114Вт; PG-TDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж