Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 68

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
DI050N06D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 30А; Idm: 160А; 42Вт
0.0
DI050N06D1-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяDI050N06D1 КорпусDPAK, TO252AA
178.57 ₽
Доступность: 878 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI050N06D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 30А; Idm: 160А; 42Вт" 1.

DI054N10D1-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 34А; Idm: 200А; 47,9Вт; DPAK
0.0
DI054N10D1-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяDI054N10D1-AQ КорпусDPAK
156.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI054N10D1-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 34А; Idm: 200А; 47,9Вт; DPAK" 1.

DI054N10D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 34А; Idm: 200А; 47,9Вт; DPAK
0.0
DI054N10D1-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяDI054N10D1 КорпусDPAK
136.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI054N10D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 34А; Idm: 200А; 47,9Вт; DPAK" 1.

DI056N10D2-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 34А; Idm: 200А; 57,6Вт; D2PAK
0.0
DI056N10D2-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяDI056N10D2-AQ КорпусD2PAK МонтажSMD
218.54 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI056N10D2-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 34А; Idm: 200А; 57,6Вт; D2PAK" 1.

DI060N10D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 37А; Idm: 300А; 54,3Вт; DPAK
0.0
DI060N10D1-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяDI060N10D1 КорпусDPAK
204.93 ₽
Доступность: 98 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI060N10D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 37А; Idm: 300А; 54,3Вт; DPAK" 1.

DI065N08D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; Idm: 300А; 62,5Вт; DPAK
0.0
DI065N08D1-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC Код производителяDI065N08D1 КорпусDPAK
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI065N08D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; Idm: 300А; 62,5Вт; DPAK" 1.

DI068N03PQ-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 43А; Idm: 210А; 25Вт; QFN5x6
0.0
DI068N03PQ-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора79нC Код производителяDI068N03PQ-AQ КорпусQFN5x6
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI068N03PQ-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 43А; Idm: 210А; 25Вт; QFN5x6" 1.

DI068N03PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 43А; Idm: 210А; 25Вт; QFN5x6
0.0
DI068N03PQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора79нC Код производителяDI068N03PQ КорпусQFN5x6
98.64 ₽
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI068N03PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 43А; Idm: 210А; 25Вт; QFN5x6" 1.

DI072N06PT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 46А; Idm: 280А; 43Вт; QFN3X3
0.0
DI072N06PT-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC Код производителяDI072N06PT КорпусQFN3X3
113.95 ₽
Доступность: 109 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI072N06PT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 46А; Idm: 280А; 43Вт; QFN3X3" 1.

DI075N04PT-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 48А; Idm: 400А; 35,7Вт; QFN3X3
0.0
DI075N04PT-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора46нC Код производителяDI075N04PT-AQ КорпусQFN3X3
153.91 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI075N04PT-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 48А; Idm: 400А; 35,7Вт; QFN3X3" 1.

DI075N08PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 47А; Idm: 350А; 45Вт; QFN5x6
0.0
DI075N08PQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC Код производителяDI075N08PQ КорпусQFN5x6
1 189.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI075N08PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 47А; Idm: 350А; 45Вт; QFN5x6" 1.

DI080N03PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 75А; Idm: 160А; 78Вт; QFN5x6
0.0
DI080N03PQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяDI080N03PQ КорпусQFN5x6
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI080N03PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 75А; Idm: 160А; 78Вт; QFN5x6" 1.

DI080N06PQ-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 80А; Idm: 480А; 65,8Вт; QFN5x6
0.0
DI080N06PQ-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора78,5нC Код производителяDI080N06PQ-AQ КорпусQFN5x6
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI080N06PQ-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 80А; Idm: 480А; 65,8Вт; QFN5x6" 1.

DI080N06PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 80А; Idm: 480А; 65,8Вт; QFN5x6
0.0
DI080N06PQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора78,5нC Код производителяDI080N06PQ КорпусQFN5x6
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI080N06PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 80А; Idm: 480А; 65,8Вт; QFN5x6" 1.

DI080N10D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; Idm: 400А; 56,8Вт; DPAK
0.0
DI080N10D1-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяDI080N10D1 КорпусDPAK
310.37 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI080N10D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; Idm: 400А; 56,8Вт; DPAK" 1.

DI087N03D1-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 55А; Idm: 420А; 41,67Вт
0.0
DI087N03D1-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC Код производителяDI087N03D1-AQ КорпусDPAK, TO252AA
177.72 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI087N03D1-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 55А; Idm: 420А; 41,67Вт" 1.

DI0A35N06PGK-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
0.0
DI0A35N06PGK-AQ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,9нC Код производителяDI0A35N06PGK-AQ КорпусDFN1006-3
39.12 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI0A35N06PGK-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт" 1.

DI0A35N06PGK, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт
0.0
DI0A35N06PGK-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,9нC Код производителяDI0A35N06PGK КорпусDFN1006-3
39.12 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI0A35N06PGK, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 350мА; Idm: 1,2А; 223мВт" 1.

DI100N04D1-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 73А; Idm: 450А; 69Вт
0.0
DI100N04D1-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора143нC Код производителяDI100N04D1-AQ КорпусDPAK, TO252AA
160.71 ₽
Доступность: 2464 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI100N04D1-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 73А; Idm: 450А; 69Вт" 1.

DI100N04D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 73А; Idm: 450А; 69Вт
0.0
DI100N04D1-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора143нC Код производителяDI100N04D1 КорпусDPAK, TO252AA
216.84 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI100N04D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 73А; Idm: 450А; 69Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж