Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 70

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
DI1A5N60D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,97А; Idm: 6А; 25Вт
0.0
DI1A5N60D1-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,9нC Код производителяDI1A5N60D1 КорпусDPAK, TO252AA
89.29 ₽
Доступность: 830 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI1A5N60D1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,97А; Idm: 6А; 25Вт" 1.

DI200N04D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; Idm: 800А; 225Вт
0.0
DI200N04D2-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC Код производителяDI200N04D2 КорпусD2PAK, TO263AB
585.88 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI200N04D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; Idm: 800А; 225Вт" 1.

DI200N04PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 165А; Idm: 800А; 180Вт; QFN5x6
0.0
DI200N04PQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора92нC Код производителяDI200N04PQ КорпусQFN5x6
420.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI200N04PQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 165А; Idm: 800А; 180Вт; QFN5x6" 1.

DI200N10D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 185А; Idm: 950А; 340Вт
0.0
DI200N10D2-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора262нC Код производителяDI200N10D2 КорпусD2PAK, TO263AB
620.75 ₽
Доступность: 795 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI200N10D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 185А; Idm: 950А; 340Вт" 1.

DI260N04D2-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 184А; Idm: 1,039кА; 150Вт; D2PAK
0.0
DI260N04D2-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC Код производителяDI260N04D2-AQ КорпусD2PAK
441.33 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI260N04D2-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 184А; Idm: 1,039кА; 150Вт; D2PAK" 1.

DI280N10TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 194А; Idm: 1,2кА; 425Вт; HSOF-8
0.0
DI280N10TL-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC Код производителяDI280N10TL КорпусHSOF-8
784.01 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI280N10TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 194А; Idm: 1,2кА; 425Вт; HSOF-8" 1.

DI2A2N100D1K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 25А; 30Вт; DPAK
0.0
DI2A2N100D1K-AQ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяDI2A2N100D1K-AQ КорпусDPAK
181.12 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI2A2N100D1K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 25А; 30Вт; DPAK" 1.

DI2A2N100D1K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 25А; 30Вт; DPAK
0.0
DI2A2N100D1K-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяDI2A2N100D1K КорпусDPAK
275.51 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI2A2N100D1K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 25А; 30Вт; DPAK" 1.

DI2A7N70D1K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 1,7А; Idm: 6А; 34,4Вт; ESD
0.0
DI2A7N70D1K-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC Код производителяDI2A7N70D1K
206.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI2A7N70D1K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 1,7А; Idm: 6А; 34,4Вт; ESD" 1.

DI320N04TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 320А; Idm: 1200А; 250Вт; TOLL
0.0
DI320N04TL-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора92нC Код производителяDI320N04TL КорпусTOLL
224.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI320N04TL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 320А; Idm: 1200А; 250Вт; TOLL" 1.

DI330N04D7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 330А; Idm: 1,4А; 375Вт; D2PAK-7
0.0
DI330N04D7-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора157нC Код производителяDI330N04D7 КорпусD2PAK-7
765.31 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI330N04D7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 330А; Idm: 1,4А; 375Вт; D2PAK-7" 1.

DI5A0N60D1-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,2А; Idm: 12А; 45Вт; DPAK
0.0
DI5A0N60D1-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,6нC Код производителяDI5A0N60D1-AQ КорпусDPAK
191.33 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI5A0N60D1-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,2А; Idm: 12А; 45Вт; DPAK" 1.

DI5A7N65D1K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,6А; Idm: 25А; 36Вт; ESD
0.0
DI5A7N65D1K-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,4нC Код производителяDI5A7N65D1K-AQ
413.27 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI5A7N65D1K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,6А; Idm: 25А; 36Вт; ESD" 1.

DI5A7N65D1K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,6А; Idm: 25А; 36Вт; ESD
0.0
DI5A7N65D1K-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,4нC Код производителяDI5A7N65D1K
260.20 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI5A7N65D1K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,6А; Idm: 25А; 36Вт; ESD" 1.

DI7A5N65D2K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,7А; Idm: 25А; 62,5Вт; ESD
0.0
DI7A5N65D2K-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,4нC Код производителяDI7A5N65D2K-AQ
335.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI7A5N65D2K-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,7А; Idm: 25А; 62,5Вт; ESD" 1.

DI7A5N65D2K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,7А; Idm: 25А; 62,5Вт; ESD
0.0
DI7A5N65D2K-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,4нC Код производителяDI7A5N65D2K
301.02 ₽
Доступность: 37 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI7A5N65D2K, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,7А; Idm: 25А; 62,5Вт; ESD" 1.

DI7A6N10SQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 7,6А; Idm: 200А; 2,5Вт; SO8
0.0
DI7A6N10SQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяDI7A6N10SQ КорпусSO8
207.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI7A6N10SQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 7,6А; Idm: 200А; 2,5Вт; SO8" 1.

DMG1012T-13, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 450мА; Idm: 3А; 280мВт; SOT523
0.0
DMG1012T-13
Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 13 дюймов, лента Заряд затвора736,6пC Код производителяDMG1012T-13 КорпусSOT523
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DMG1012T-13, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 450мА; Idm: 3А; 280мВт; SOT523" 1.

DMG1012T-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
0.0
DMG1012T-7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента Код производителяDMG1012T-7 КорпусSOT523
36.56 ₽
Доступность: 1570 шт.
 

Минимальное количество для товара "DMG1012T-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD" 1.

DMG1012TQ-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
0.0
DMG1012TQ-7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента Код производителяDMG1012TQ-7 КорпусSOT523
22.11 ₽
Доступность: 2072 шт.
 

Минимальное количество для товара "DMG1012TQ-7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж