Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 71

Производитель
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
151.20 
Доступность: 17 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2530N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 0,2А; 740мВт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
264.97 
Доступность: 208 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN2540N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 170мА; Idm: 0,5А; 1,6Вт" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
330.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN2625K4-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 1,1А; 2,5Вт; TO252" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
156.44 
Доступность: 279 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3135K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,18А; 360мВт; SOT23-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
181.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3525N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,3А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
189.37 
Доступность: 1629 шт.
 

Минимальное количество для товара "DN3535N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
241.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DN3545N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 450В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
1 095.06 
Доступность: 639 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCB070N65S3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 44А; 312Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусD2PAK МонтажSMD
369.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCB11N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; D2PAK" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
925.15 
Доступность: 695 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCB20N60FTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; 208Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора98нC КорпусD2PAK МонтажSMD
610.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCB20N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,5А; 208Вт; D2PAK" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
636.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCB290N80, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 212Вт; D2PAK" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусDPAK МонтажSMD
166.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCD3400N80Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,2А; Idm: 4А; 32Вт; DPAK" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
211.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCD380N60E, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,4А; 106Вт; DPAK" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
362.28 
Доступность: 2462 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCD4N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,5А; 50Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDPAK МонтажSMD
286.68 
Доступность: 2478 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCD5N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,9А; 54Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
134.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCD7N60TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,4А; 83Вт; DPAK" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусDPAK МонтажSMD
318.11 
Доступность: 2286 шт.
 

Минимальное количество для товара "FCD900N60Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,5А; Idm: 13,5А; 52Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусPower88 МонтажSMD
429.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FCMT299N60, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,9А; Idm: 36А; 125Вт; Power88" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора249нC КорпусD2PAK-6 МонтажSMD
673.65 
Доступность: 778 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDB0190N807L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт; D2PAK-6" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж