Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.71

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
FDY300NZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,1нC КорпусSOT523 МонтажSMD
64.03 
Доступность: 1115 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDY300NZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,6А; 0,625Вт; SOT523" 5.

0.0
FQB19N20CTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусD2PAK МонтажSMD
219.76 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQB19N20CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 12,1А; Idm: 76А; 139Вт; D2PAK" 1.

0.0
FQB19N20LTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусD2PAK МонтажSMD
252.96 
Доступность: 670 шт.
+

Минимальное количество для товара "FQB19N20LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 13,3А; Idm: 84А; 140Вт; D2PAK" 1.

0.0
FQB19N20TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусD2PAK МонтажSMD
428.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQB19N20TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 12,3А; Idm: 78А; 140Вт; D2PAK" 1.

0.0
FQB33N10LTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусD2PAK МонтажSMD
241.90 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQB33N10LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 23А; Idm: 132А; 127Вт; D2PAK" 1.

0.0
FQB33N10TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусD2PAK МонтажSMD
200.79 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQB33N10TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 23А; 127Вт; D2PAK" 1.

0.0
FQB55N10TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора98нC КорпусD2PAK МонтажSMD
330.43 
Доступность: 248 шт.
+

Минимальное количество для товара "FQB55N10TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 38,9А; 155Вт; D2PAK" 1.

0.0
FQB5N90TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусD2PAK МонтажSMD
341.50 
Доступность: 725 шт.
+

Минимальное количество для товара "FQB5N90TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,42А; 158Вт; D2PAK" 1.

0.0
FQB7P20TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусD2PAK МонтажSMD
271.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQB7P20TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; -4,6А; Idm: -29,2А; 90Вт; D2PAK" 1.

0.0
FQB8N60CTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусD2PAK МонтажSMD
275.10 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQB8N60CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,6А; Idm: 30А; 147Вт; D2PAK" 1.

0.0
FQB8N90CTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусD2PAK МонтажSMD
406.32 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQB8N90CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,8А; Idm: 25А; 171Вт; D2PAK" 1.

0.0
FQD10N20CTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусDPAK МонтажSMD
139.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQD10N20CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5А; 50Вт; DPAK" 1.

0.0
FQD12N20LTM-F085
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусDPAK МонтажSMD
156.52 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQD12N20LTM-F085, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 55Вт; DPAK" 1.

0.0
FQD12N20LTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусDPAK МонтажSMD
181.82 
Доступность: 1403 шт.
+

Минимальное количество для товара "FQD12N20LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; 55Вт; DPAK" 1.

0.0
FQD12N20TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусDPAK МонтажSMD
135.97 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQD12N20TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 55Вт; DPAK" 1.

0.0
FQD13N06LTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,4нC КорпусDPAK МонтажSMD
142.29 
Доступность: 2080 шт.
+

Минимальное количество для товара "FQD13N06LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 7А; 28Вт; DPAK" 1.

0.0
FQD13N10LTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK МонтажSMD
137.55 
Доступность: 1748 шт.
+

Минимальное количество для товара "FQD13N10LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 6,3А; 40Вт; DPAK" 1.

0.0
FQD16N25CTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53,5нC КорпусDPAK МонтажSMD
193.68 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQD16N25CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 10,1А; 160Вт; DPAK" 1.

0.0
FQD17N08LTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC КорпусDPAK МонтажSMD
135.97 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQD17N08LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 8,2А; Idm: 51,6А; 40Вт; DPAK" 1.

0.0
FQD18N20V2TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусDPAK МонтажSMD
219.76 
Доступность: 400 шт.
+

Минимальное количество для товара "FQD18N20V2TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK" 1.

0.0
FQD19N10LTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK МонтажSMD
203.95 
Доступность: 2102 шт.
+

Минимальное количество для товара "FQD19N10LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK" 1.

0.0
FQD19N10TM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусDPAK МонтажSMD
175.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQD19N10TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9,8А; Idm: 62,4А; 50Вт; DPAK" 1.

0.0
FQD1N60CTM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
146.25 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQD1N60CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,6А; 28Вт; DPAK" 1.

0.0
FQD2N60CTM-WS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK МонтажSMD
177.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FQD2N60CTM-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,14А; Idm: 7,6А; 44Вт; DPAK" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж