Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом N SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
IPD350N06LGBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; Idm: 116А; 68Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD350N06LGBTMA1
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍215‍ ₽
Доступность: 189 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD350N06LGBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; Idm: 116А; 68Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD50N06S4L12ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 36А; 50Вт
0.0
IPD50N06S4L12
Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
‍177‍ ₽
Доступность: 1955 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD50N06S4L12ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 36А; 50Вт" 1.

IPD50R399CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD50R399CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
‍317‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD50R399CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD50R399CPBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD50R399CPBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
‍317‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD50R399CPBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD50R500CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; Idm: 24А; 57Вт; DPAK
0.0
IPD50R500CEAUMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18,7нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍109‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD50R500CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; Idm: 24А; 57Вт; DPAK" 1.

IPD50R520CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD50R520CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
‍263‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD50R520CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD50R520CPBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD50R520CPBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
‍263‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD50R520CPBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,1А; 66Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD50R950CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,3А; 34Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD50R950CEATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
‍133‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD50R950CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,3А; 34Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD60R170CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 76Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD60R170CFD7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍582‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD60R170CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 76Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD60R280CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 51Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD60R280CFD7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍487‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD60R280CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 51Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD60R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD60R280P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍348‍ ₽
Доступность: 2099 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD60R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD60R280P7S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD60R280P7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍195‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD60R280P7S, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD60R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD60R600P7ATMA1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍209‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD60R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD60R600P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD60R600P7SAUMA1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
‍146‍ ₽
Доступность: 2253 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD60R600P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD60R650CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,2А; Idm: 19А; 82Вт
0.0
IPD60R650CEAUMA1
Вид каналаобогащенный Заряд затвора20,5нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍121‍ ₽
Доступность: 2184 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPD60R650CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,2А; Idm: 19А; 82Вт" 1.

IPD65R1K4CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2,8А; 28,4Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD65R1K4CFDBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍145‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD65R1K4CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2,8А; 28,4Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD65R250E6XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16,1А; 208Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD65R250E6XTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍472‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD65R250E6XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16,1А; 208Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD65R380C6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD65R380C6BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍290‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD65R380C6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD65R380E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD65R380E6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍340‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD65R380E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD65R380E6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD65R380E6BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍290‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD65R380E6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD65R420CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD65R420CFDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍306‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD65R420CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD65R420CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD65R420CFDBTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍306‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD65R420CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD65R600C6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD65R600C6BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍224‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD65R600C6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD65R600E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD65R600E6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
‍224‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPD65R600E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

Показать еще 24 товара
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)