Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом N SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
IPN80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R4K5P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора4нC КорпусPG-SOT223
‍124‍ ₽
Доступность: 2068 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPN80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 7,4Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R600P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора20нC КорпусPG-SOT223
‍265‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPN80R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 7,4Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R750P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора17нC КорпусPG-SOT223
‍244‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPN80R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R900P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора15нC КорпусPG-SOT223
‍263‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPN80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN95R3K7P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 1,4А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN95R3K7P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора6нC КорпусPG-SOT223
‍103‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPN95R3K7P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 1,4А; 6Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPT004N03LATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300А; Idm: 1200А; 300Вт
0.0
IPT004N03LATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора53нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
‍857‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPT004N03LATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300А; Idm: 1200А; 300Вт" 1.

IPT007N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300А; Idm: 1200А; 375Вт
0.0
IPT007N06NATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора216нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
‍975‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPT007N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

IPT012N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 279А; Idm: 1200А; 375Вт
0.0
IPT012N08N5ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора178нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
1 862 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPT012N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 279А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

IPT020N10N3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 212А; Idm: 1200А; 375Вт
0.0
IPT020N10N3ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора156нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
1 907 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPT020N10N3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 212А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

IPT029N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 676А; 167Вт
0.0
IPT029N08N5
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора70нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
‍786‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPT029N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 676А; 167Вт" 1.

IPT059N15N3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 110А; Idm: 620А; 375Вт
0.0
IPT059N15N3ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора69нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
1 531 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPT059N15N3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 110А; Idm: 620А; 375Вт" 1.

IPZ40N04S5-5R4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8
0.0
IPZ40N04S55R4
Вид каналаобогащенный Заряд затвора23нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍198‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S5-5R4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

IPZ40N04S53R1ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 71Вт; PG-TSDSON-8
0.0
IPZ40N04S53R1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
‍183‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S53R1ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 71Вт; PG-TSDSON-8" 1.

IRF100S201, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 136А; Idm: 690А; 441Вт; D2PAK
0.0
IRF100S201
Вид каналаобогащенный Заряд затвора255нC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍616‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IRF100S201, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 136А; Idm: 690А; 441Вт; D2PAK" 1.

IRF1010ESTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 59А; Idm: 330А; 200Вт; D2PAK
0.0
IRF1010ESTRLPBF
Вид каналаобогащенный КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍265‍ ₽
Доступность: 279 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IRF1010ESTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 59А; Idm: 330А; 200Вт; D2PAK" 1.

IRF1010NSTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 60А; 180Вт; D2PAK
0.0
IRF1010NSTRLPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора0,12мкC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍204‍ ₽
Доступность: 785 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IRF1010NSTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 60А; 180Вт; D2PAK" 1.

IRF1018ESTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 56А; Idm: 315А; 110Вт; D2PAK
0.0
IRF1018ESTRLPBF
Вид каналаобогащенный КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
‍260‍ ₽
Доступность: 847 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IRF1018ESTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 56А; Idm: 315А; 110Вт; D2PAK" 1.

IRF1310NSTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 30А; Idm: 140А; 160Вт; D2PAK
0.0
IRF1310NSTRLPBF
Вид каналаобогащенный КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍192‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IRF1310NSTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 30А; Idm: 140А; 160Вт; D2PAK" 1.

IRF135S203, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 135В; 91А; Idm: 512А; 441Вт; D2PAK
0.0
IRF135S203
Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,27мкC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍591‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IRF135S203, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 135В; 91А; Idm: 512А; 441Вт; D2PAK" 1.

IRF1404STRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK
0.0
IRF1404STRLPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
‍357‍ ₽
Доступность: 348 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IRF1404STRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK" 1.

IRF1404ZSTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK
0.0
IRF1404ZSTRLPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
‍353‍ ₽
Доступность: 715 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IRF1404ZSTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK" 1.

IRF2804STRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
0.0
IRF2804STRLPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
‍477‍ ₽
Доступность: 761 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IRF2804STRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK" 1.

IRF2807STRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 82А; 200Вт; D2PAK
0.0
IRF2807STRLPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток75В
‍345‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IRF2807STRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 82А; 200Вт; D2PAK" 1.

IRF3205STRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK
0.0
IRF3205STRLPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение сток-исток55В
‍359‍ ₽
Доступность: 1090 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IRF3205STRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 110А; 200Вт; D2PAK" 1.

Показать еще 24 товара
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)