Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 90

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSOT223 МонтажSMD
137.72 
Доступность: 3238 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQT4N20LTF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,68А; 2,2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6нC КорпусSOT223 МонтажSMD
181.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQT4N25TF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,66А; Idm: 3,3А; 2,5Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT223 МонтажSMD
122.75 
Доступность: 3670 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQT7N10LTF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,36А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...20В
1 037.43 
Доступность: 173 шт.
 

Минимальное количество для товара "G2R1000MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 54Вт; TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора51нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
2 190.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 187Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
3 869.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
724.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
1 023.95 
Доступность: 841 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусD2PAK МонтажSMD
528.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HUF75639S3ST, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 56А; 200Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
86.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HUF76407D3ST, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6А; 38Вт; DPAK" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора132нC КорпусPG-HSOF-5 МонтажSMD
344.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUA200N04S5N010AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 200А; Idm: 800А; 167Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусPG-HSOG-8 МонтажSMD
630.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUS165N08S5N029ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 165А; Idm: 660А; 167Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора178нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
754.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUT300N08S5N012ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора5,8нC КорпусPG-DSO-20
4 797.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IGOT60R070D1AUMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,2нC КорпусPG-HSOF-8-3
1 172.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
1 442.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB010N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
182.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB011N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
90.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB011N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
686.38 
Доступность: 37 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB014N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора260нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
551.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB015N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж