Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 87

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSO8 МонтажSMD
138.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDS8876, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 91А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSO8 МонтажSMD
128.74 
Доступность: 281 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDS8880, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD
113.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDS8884, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,5А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора67нC КорпусSO8 МонтажSMD
187.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDS8896, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15А; Idm: 110А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
154.19 
Доступность: 3698 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDT1600N10ALZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,5А; 10,42Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
155.69 
Доступность: 2062 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDT3612, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,7А; 3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
133.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDT3N40TF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 1,2А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT223 МонтажSMD
219.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDT439N, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,3А; 3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT223 МонтажSMD
50.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDT86102LZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 6,6А; 2,2Вт; SOT223" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
110.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDT86106LZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,2А; 2,2Вт; SOT223" 4000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
227.54 
Доступность: 420 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDT86113LZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,3А; 2,2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
20.96 
Доступность: 64440 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDV301N, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD
33.68 
Доступность: 13829 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDV303N, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 0,68А; 0,35Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
47.90 
Доступность: 1482 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDV305N, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,9А; 0,35Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,1нC КорпусSOT523 МонтажSMD
70.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDY300NZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,6А; 0,625Вт; SOT523" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусD2PAK МонтажSMD
232.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQB19N20CTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 12,1А; Idm: 76А; 139Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусD2PAK МонтажSMD
255.24 
Доступность: 620 шт.
 

Минимальное количество для товара "FQB19N20LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 13,3А; Idm: 84А; 140Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусD2PAK МонтажSMD
464.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQB19N20TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 12,3А; Idm: 78А; 140Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусD2PAK МонтажSMD
255.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQB33N10LTM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 23А; Idm: 132А; 127Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусD2PAK МонтажSMD
211.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQB33N10TM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 23А; 127Вт; D2PAK" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж