Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 48

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
24.46 
Доступность: 1690 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP84, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,25Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD
19.88 
Доступность: 1603 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP84K-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
29.82 
Доступность: 1057 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP84W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
39.76 
Доступность: 9578 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS0605, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; 0,36Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение сток-исток-60В
29.05 
Доступность: 375 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS0610, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,12А; 0,36Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
81.04 
Доступность: 2055 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS332P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
81.04 
Доступность: 64 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS352AP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
126.15 
Доступность: 1842 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDT2955, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
176.61 
Доступность: 3712 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDT452AP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; 3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
35.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTA4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,301Вт; SC75" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTB25P06T4G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -27,5А; 120Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусDPAK МонтажSMD
157.49 
Доступность: 2425 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD20P06LT4G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -15,5А; 65Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK МонтажSMD
183.49 
Доступность: 668 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD25P03LT4G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -25А; 75Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусDPAK МонтажSMD
149.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTDV20P06LT4G-VF01, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 60В; 15,5А; Idm: 50А; 65Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусSC89 МонтажSMD
17.58 
Доступность: 4820 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTE4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 313мВт; SC89" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
201.07 
Доступность: 1227 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; 2,3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTF5P03T3G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 3,13Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
181.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3136PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -20А; 700мВт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
129.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3433T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,35А; Idm: -14А; 1Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
94.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3441T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,35А; 1Вт; TSOP6" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж