Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 59

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа P
Транзисторы с каналом P SMD
Транзисторы с каналом P THT
Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
RF4C100BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -36А; 2Вт
0.0
RF4C100BCTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5нC Код производителяRF4C100BCTCR КорпусDFN2020-8S
188.78 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4C100BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -36А; 2Вт" 1.

RF4E075ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт
0.0
RF4E075ATTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяRF4E075ATTCR КорпусDFN2020-8S
136.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4E075ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт" 1.

RF4G060ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6А; Idm: -24А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4G060ATTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,2нC Код производителяRF4G060ATTCR КорпусDFN2020-8S
202.38 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4G060ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6А; Idm: -24А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF4L040ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4L040ATTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,3нC Код производителяRF4L040ATTCR КорпусDFN2020-8S
125.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4L040ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF6C055BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,5А; Idm: -18А; 1Вт; SOT363T
0.0
RF6C055BCTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,2нC Код производителяRF6C055BCTCR КорпусSOT363T
191.33 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF6C055BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,5А; Idm: -18А; 1Вт; SOT363T" 1.

RQ1A060ZPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6А; Idm: -24А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
RQ1A060ZPTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяRQ1A060ZPTR КорпусTSMT8
204.93 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1A060ZPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6А; Idm: -24А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ1A070APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
RQ1A070APTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC Код производителяRQ1A070APTR КорпусTSMT8
164.12 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1A070APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ1A070ZPFRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
RQ1A070ZPFRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC Код производителяRQ1A070ZPFRATR КорпусTSMT8
157.31 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1A070ZPFRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ1E070RPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
RQ1E070RPTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяRQ1E070RPTR КорпусTSMT8
321.43 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1E070RPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ3C150BCTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -37А; Idm: -60А; 20Вт; HSMT8
0.0
RQ3C150BCTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяRQ3C150BCTB КорпусHSMT8
211.73 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3C150BCTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -37А; Idm: -60А; 20Вт; HSMT8" 1.

RQ3E075ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; Idm: -30А; 15Вт; HSMT8
0.0
RQ3E075ATTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяRQ3E075ATTB КорпусHSMT8
255.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E075ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; Idm: -30А; 15Вт; HSMT8" 1.

RQ3E120ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39А; Idm: -48А; 20Вт; HSMT8
0.0
RQ3E120ATTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC Код производителяRQ3E120ATTB КорпусHSMT8
201.53 ₽
Доступность: 2938 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E120ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39А; Idm: -48А; 20Вт; HSMT8" 1.

RQ3L070ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -25А; Idm: -28А; 20Вт; HSMT8
0.0
RQ3L070ATTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC Код производителяRQ3L070ATTB КорпусHSMT8
64.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3L070ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -25А; Idm: -28А; 20Вт; HSMT8" 3000.

RQ5A020ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3
0.0
RQ5A020ZPTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяRQ5A020ZPTL КорпусTSMT3
132.65 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5A020ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3" 1.

RQ5A030APTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -9А; 1Вт; TSMT3
0.0
RQ5A030APTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяRQ5A030APTL КорпусTSMT3
87.59 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5A030APTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -9А; 1Вт; TSMT3" 1.

RQ5A040ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -16А; 1Вт; TSMT3
0.0
RQ5A040ZPTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяRQ5A040ZPTL КорпусTSMT3
132.65 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5A040ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -16А; 1Вт; TSMT3" 1.

RQ5C035BCTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; Idm: -12А; 1Вт; TSMT3
0.0
RQ5C035BCTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяRQ5C035BCTCL КорпусTSMT3
102.89 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5C035BCTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; Idm: -12А; 1Вт; TSMT3" 1.

RQ5C060BCTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -18А; 1Вт; TSMT3
0.0
RQ5C060BCTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,2нC Код производителяRQ5C060BCTCL КорпусTSMT3
193.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5C060BCTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -18А; 1Вт; TSMT3" 1.

RQ5E015RPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3
0.0
RQ5E015RPTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,2нC Код производителяRQ5E015RPTL КорпусTSMT3
126.70 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E015RPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3" 1.

RQ5E030RPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; TSMT3
0.0
RQ5E030RPTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC Код производителяRQ5E030RPTL КорпусTSMT3
126.70 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E030RPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; TSMT3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж