Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 58

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа P
Транзисторы с каналом P SMD
Транзисторы с каналом P THT
Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
RAF040P01TCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -16А; 800мВт; TUMT3
0.0
RAF040P01TCL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC Код производителяRAF040P01TCL
136.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RAF040P01TCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -16А; 800мВт; TUMT3" 1.

RAL035P01TCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -12А; 1Вт; TUMT6
0.0
RAL035P01TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяRAL035P01TCR
130.95 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RAL035P01TCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -12А; 1Вт; TUMT6" 1.

RAQ045P01TCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -18А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
RAQ045P01TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяRAQ045P01TCR
110.54 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RAQ045P01TCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -18А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

RD3G01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -15А; Idm: -30А; 25Вт
0.0
RD3G01BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,3нC Код производителяRD3G01BATTL1 КорпусDPAK, TO252
261.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3G01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -15А; Idm: -30А; 25Вт" 1.

RD3G03BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -70А; 56Вт
0.0
RD3G03BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяRD3G03BATTL1 КорпусDPAK, TO252
330.78 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3G03BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -70А; 56Вт" 1.

RD3G07BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -70А; Idm: -140А; 101Вт
0.0
RD3G07BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC Код производителяRD3G07BATTL1 КорпусDPAK, TO252
147.96 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3G07BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -70А; Idm: -140А; 101Вт" 2500.

RD3H045SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -4,5А; Idm: -9А; 15Вт
0.0
RD3H045SPTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяRD3H045SPTL1 КорпусDPAK, TO252
289.97 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3H045SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -4,5А; Idm: -9А; 15Вт" 1.

RD3H080SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -8А; Idm: -16А; 15Вт
0.0
RD3H080SPFRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC Код производителяRD3H080SPFRATL КорпусDPAK, TO252
73.13 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3H080SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -8А; Idm: -16А; 15Вт" 2500.

RD3H160SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -16А; Idm: -32А; 20Вт
0.0
RD3H160SPFRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяRD3H160SPFRATL КорпусDPAK, TO252
90.99 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3H160SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -16А; Idm: -32А; 20Вт" 2500.

RD3H160SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -16А; Idm: -32А; 20Вт
0.0
RD3H160SPTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяRD3H160SPTL1 КорпусDPAK, TO252
330.78 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3H160SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -16А; Idm: -32А; 20Вт" 1.

RD3L01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; Idm: -20А; 26Вт
0.0
RD3L01BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,2нC Код производителяRD3L01BATTL1 КорпусDPAK, TO252
274.66 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3L01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; Idm: -20А; 26Вт" 1.

RD3L03BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -35А; Idm: -70А; 56Вт
0.0
RD3L03BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC Код производителяRD3L03BATTL1 КорпусDPAK, TO252
363.95 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3L03BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -35А; Idm: -70А; 56Вт" 1.

RD3L07BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -70А; Idm: -140А; 101Вт
0.0
RD3L07BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC Код производителяRD3L07BATTL1 КорпусDPAK, TO252
177.72 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3L07BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -70А; Idm: -140А; 101Вт" 2500.

RD3L140SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -14А; Idm: -28А; 20Вт
0.0
RD3L140SPFRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяRD3L140SPFRATL КорпусDPAK, TO252
106.29 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3L140SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -14А; Idm: -28А; 20Вт" 2500.

RD3L140SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -14А; Idm: -28А; 20Вт
0.0
RD3L140SPTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяRD3L140SPTL1 КорпусDPAK, TO252
375.85 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3L140SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -14А; Idm: -28А; 20Вт" 1.

RD3P130SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -13А; Idm: -52А; 20Вт
0.0
RD3P130SPFRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяRD3P130SPFRATL КорпусDPAK, TO252
88.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P130SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -13А; Idm: -52А; 20Вт" 2500.

RE1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -400мА; 0,15Вт
0.0
RE1C001ZPTL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRE1C001ZPTL КорпусSC89
40.82 ₽
Доступность: 1867 шт.
 

Минимальное количество для товара "RE1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -400мА; 0,15Вт" 1.

RE1C002ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт
0.0
RE1C002ZPTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC Код производителяRE1C002ZPTL КорпусSOT416F
59.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1C002ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

RE1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 150мВт
0.0
RE1E002SPTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRE1E002SPTCL КорпусSOT416F МонтажSMD
48.47 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 150мВт" 1.

RF4C050APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -20А; 2Вт
0.0
RF4C050APTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC Код производителяRF4C050APTR КорпусDFN2020-8S
138.61 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4C050APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж