Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 63

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа P
Транзисторы с каналом P SMD
Транзисторы с каналом P THT
Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
RZF020P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3
0.0
RZF020P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяRZF020P01TL КорпусTUMT3
147.11 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF020P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3" 1.

RZF030P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 800мВт; TUMT3
0.0
RZF030P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяRZF030P01TL КорпусTUMT3
121.60 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF030P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 800мВт; TUMT3" 1.

RZM001P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -0,4А; 150мВт; ESD
0.0
RZM001P02T2L
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRZM001P02T2L КорпусSOT723
39.97 ₽
Доступность: 354 шт.
 

Минимальное количество для товара "RZM001P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -0,4А; 150мВт; ESD" 1.

RZM002P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,2А; Idm: -0,8А; 150мВт; ESD
0.0
RZM002P02T2L
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRZM002P02T2L КорпусSOT723
37.41 ₽
Доступность: 806 шт.
 

Минимальное количество для товара "RZM002P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,2А; Idm: -0,8А; 150мВт; ESD" 1.

SCH1332-TL-W, Транзистор: P-MOSFET
0.0
SCH1332TLW-ONS
Код производителяSCH1332-TL-W ПроизводительONSEMI Тип транзистораP-MOSFET
35.71 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SCH1332-TL-W, Транзистор: P-MOSFET" 424.

SFT1342-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -12А; 15Вт; DPAK
0.0
SFT1342-TL-W
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяSFT1342-TL-W КорпусDPAK МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SFT1342-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -12А; 15Вт; DPAK" 1.

SI1013CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; Idm: -1,5А
0.0
SI1013CX-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC Код производителяSI1013CX-T1-GE3 КорпусSC89
66.33 ₽
Доступность: 3095 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1013CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; Idm: -1,5А" 1.

SI1013R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A; ESD
0.0
SI1013R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC Код производителяSI1013R-T1-GE3
74.83 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1013R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A; ESD" 3.

SI1013X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -400мА; Idm: -1А
0.0
SI1013X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC Код производителяSI1013X-T1-GE3 КорпусSC89
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1013X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -400мА; Idm: -1А" 1.

SI1021R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт
0.0
SI1021R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC Код производителяSI1021R-T1-GE3
110.54 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1021R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

SI1025X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт
0.0
SI1025X-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC Код производителяSI1025X-T1-GE3
113.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1025X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт
0.0
SI1031R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC Код производителяSI1031R-T1-GE3
107.14 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт" 5.

SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А
0.0
SI1077X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31,1нC Код производителяSI1077X-T1-GE3 КорпусSC89
107.99 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А" 1.

SI1079X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -1,44А; Idm: -8А
0.0
SI1079X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяSI1079X-T1-GE3 КорпусSC89
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1079X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -1,44А; Idm: -8А" 1.

SI1317DL-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А
0.0
SI1317DL-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяSI1317DL-T1-BE3 КорпусSC70, SOT323
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1317DL-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А" 1.

SI1317DL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А; 0,3Вт; SC70
0.0
SI1317DL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяSI1317DL-T1-GE3 КорпусSC70
101.19 ₽
Доступность: 2700 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1317DL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А; 0,3Вт; SC70" 1.

SI1401EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70; ESD
0.0
SI1401EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSI1401EDH-T1-GE3
118.20 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1401EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

SI1403BDL-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -5А
0.0
SI1403BDL-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5нC Код производителяSI1403BDL-T1-E3 КорпусSC70, SOT323
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1403BDL-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -5А" 1.

SI1403BDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -5А
0.0
SI1403BDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,5нC Код производителяSI1403BDL-T1-GE3 КорпусSC70, SOT323
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1403BDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -5А" 1.

SI1403CDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,6Вт; SC70-6
0.0
SI1403CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC Код производителяSI1403CDL-T1-GE3 КорпусSC70-6
51.87 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1403CDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,6Вт; SC70-6" 3.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж