Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 175

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Транзисторные модули MOSFET
Транзисторы многоканальные
Транзисторы с каналом типа P
Фильтры товаров
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
G3R20MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
0.0
G3R20MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора219нC Код производителяG3R20MT12K КорпусTO247-4
6 734.69 ₽
Доступность: 487 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт" 1.

G3R20MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 88А; Idm: 300А; 809Вт
0.0
G3R20MT17K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора400нC Код производителяG3R20MT17K КорпусTO247-4
20 319.73 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 88А; Idm: 300А; 809Вт" 1.

G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт
0.0
G3R30MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC Код производителяG3R30MT12J КорпусTO263-7
4 396.26 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R30MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт" 1.

G3R30MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт
0.0
G3R30MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC Код производителяG3R30MT12K КорпусTO247-4
4 203.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R30MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт" 1.

G3R350MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 74Вт
0.0
G3R350MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC Код производителяG3R350MT12D КорпусTO247-3
699.83 ₽
Доступность: 238 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R350MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 74Вт" 1.

G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт
0.0
G3R350MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC Код производителяG3R350MT12J КорпусTO263-7
823.13 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R350MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 75Вт" 1.

G3R40MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
0.0
G3R40MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC Код производителяG3R40MT12D КорпусTO247-3
3 517.01 ₽
Доступность: 94 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R40MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт" 1.

G3R40MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 53А; Idm: 140А; 374Вт
0.0
G3R40MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC Код производителяG3R40MT12J КорпусTO263-7
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R40MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 53А; Idm: 140А; 374Вт" 1.

G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
0.0
G3R40MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC Код производителяG3R40MT12K КорпусTO247-4
2 809.52 ₽
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт" 1.

G3R450MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 88Вт
0.0
G3R450MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC Код производителяG3R450MT17D КорпусTO247-3
1 111.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R450MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 88Вт" 1.

G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт
0.0
G3R450MT17J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC Код производителяG3R450MT17J КорпусTO263-7
1 163.27 ₽
Доступность: 841 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R450MT17J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 91Вт" 1.

G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
0.0
G3R45MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC Код производителяG3R45MT17D КорпусTO247-3
5 627.55 ₽
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

G3R45MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
0.0
G3R45MT17K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC Код производителяG3R45MT17K КорпусTO247-4
5 604.59 ₽
Доступность: 150 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R45MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

G3R75MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
0.0
G3R75MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC Код производителяG3R75MT12D КорпусTO247-3
2 282.31 ₽
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

G3R75MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; Idm: 80А; 224Вт
0.0
G3R75MT12J
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC Код производителяG3R75MT12J КорпусTO263-7
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; Idm: 80А; 224Вт" 1.

G3R75MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
0.0
G3R75MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC Код производителяG3R75MT12K КорпусTO247-4
1 518.71 ₽
Доступность: 436 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В
0.0
GAN041-650WSBQ
Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора22нC Код производителяGAN041-650WSBQ КорпусSOT429, TO247
5 103.74 ₽
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

GAN063-650WSAQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В
0.0
GAN063-650WSAQ
Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора15нC Код производителяGAN063-650WSAQ КорпусSOT429, TO247
3 466.84 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN063-650WSAQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

GAN080-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 29А; Idm: 58А; 240Вт
0.0
GAN080-650EBEZ
Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора6,2нC Код производителяGAN080-650EBEZ
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN080-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 29А; Idm: 58А; 240Вт" 1.

GAN140-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 17А; Idm: 32А; 113Вт
0.0
GAN140-650EBEZ
Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,5нC Код производителяGAN140-650EBEZ
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN140-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 17А; Idm: 32А; 113Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж