Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 402

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC Код производителяSIHB22N60ET1-GE3 КорпусD2PAK, TO263
807.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60ET1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC Код производителяSIHB22N60ET5-GE3 КорпусD2PAK, TO263
850.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60ET5-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSIHB22N65E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
905.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 14А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC Код производителяSIHB23N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
865.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB23N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; Idm: 63А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC Код производителяSIHB24N65E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 177.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16А; Idm: 70А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC Код производителяSIHB24N65EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 052.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 15А; Idm: 65А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC Код производителяSIHB24N65EFT1-GE3 КорпусD2PAK, TO263
835.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65EFT1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 24А; Idm: 65А; 250Вт" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC Код производителяSIHB24N80AE-GE3 КорпусD2PAK, TO263
507.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC Код производителяSIHB25N50E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
822.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB25N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 16А; Idm: 50А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC Код производителяSIHB28N60EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 252.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB28N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 75А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC Код производителяSIHB30N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB30N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 76А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора150нC Код производителяSIHB33N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
832.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB33N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 278Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC Код производителяSIHB33N60EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 373.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB33N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 100А; 278Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора132нC Код производителяSIHB35N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 257.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB35N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора134нC Код производителяSIHB35N60EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
846.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB35N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIHB4N80E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
359.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB4N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC Код производителяSIHB6N65E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
474.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB6N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSIHB6N80E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
854.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB6N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,4А; Idm: 15А; 78Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIHB8N50D-GE3 КорпусD2PAK, TO263
265.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB8N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,5А; Idm: 18А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSIHD12N50E-GE3 КорпусDPAK, TO252
365.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD12N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,6А; Idm: 21А; 114Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж