Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 403

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC Код производителяSIHD14N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
404.60 
Доступность: 355 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHD14N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIHD180N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
560.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD180N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 40А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIHD186N60EF-GE3 КорпусDPAK, TO252
612.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD186N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 40А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC Код производителяSIHD1K4N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
302.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD1K4N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 5А; 63Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяSIHD240N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
513.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD240N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 30А; 78Вт; DPAK,TO252" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC Код производителяSIHD2N80AE-GE3 КорпусDPAK, TO252
243.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD2N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,6нC Код производителяSIHD2N80E-GE3 КорпусDPAK, TO252
352.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD2N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 62,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIHD3N50D-GE3 КорпусDPAK, TO252
189.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD3N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIHD4N80E-GE3 КорпусDPAK, TO252
415.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD4N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSIHD5N50D-GE3 КорпусDPAK, TO252
158.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD5N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,4А; Idm: 10А; 104Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIHD690N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
350.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD690N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 11А; 62,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяSIHD6N62E-GE3 КорпусDPAK, TO252
245.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD6N62E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 620В; 4А; Idm: 12А; 78Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC Код производителяSIHD6N65E-GE3 КорпусDPAK, TO252
399.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD6N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,5нC Код производителяSIHD6N80AE-GE3 КорпусDPAK, TO252
352.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD6N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 62,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSIHD6N80E-GE3 КорпусDPAK, TO252
511.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD6N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,4А; Idm: 15А; 78Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSIHD7N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
356.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD7N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC Код производителяSIHD9N60E-GE3 КорпусDPAK, TO252
477.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD9N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; Idm: 22А; 78Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора74нC Код производителяSIHF065N60E-GE3 КорпусTO220FP
1 425.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF065N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 25А; Idm: 116А; 39Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора77нC Код производителяSIHF068N60EF-GE3 КорпусTO220FP
1 052.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF068N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10А; Idm: 115А; 39Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора30нC Код производителяSIHF10N40D-E3 КорпусTO220FP
258.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF10N40D-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 6А; Idm: 23А; 33Вт; TO220FP" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж