Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 427

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM053NV8HGS
165.14 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM053NV8HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
67.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM05N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 4А; 45Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
70.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM06N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 5А; 50Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM071N15HG2
506.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM071N15HG2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
77.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM07N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 5А; 42Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
81.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM07N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 5А; 42Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
81.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM07N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 6,8А; 55Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
95.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM08N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 7А; 70Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
107.80 
Доступность: 612 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM09N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 6А; 45Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
107.80 
Доступность: 618 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM09N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 6А; 45Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
92.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM09N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 5,3А; 45Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
107.80 
Доступность: 573 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM10N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 8А; 57Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
107.80 
Доступность: 574 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM10N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 8А; 57Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
116.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM10N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 7,5А; 57Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM115N15HG4
207.19 
Доступность: 90 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM115N15HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
124.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM11N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 9А; 63Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
107.80 
Доступность: 557 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM11N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 9А; 63Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
131.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM11N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 8А; 63Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
137.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM11N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10,5А; 85Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM120N04TS
128.44 
Доступность: 81 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM120N04TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж