Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 429

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34,7нC КорпусTO263 МонтажSMD
347.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM26N65SR, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; полевой; 650В; 12А; Idm: 50А; 147Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27,3нC КорпусTO263 МонтажSMD
301.22 
Доступность: 800 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM28N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусTO263 МонтажSMD
706.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM30N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 15А; Idm: 96А; 277Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM340N20HG2
263.76 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM340N20HG2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора46нC КорпусTO263 МонтажSMD
763.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM36N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 20А; Idm: 100А; 277Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора46нC КорпусTO263 МонтажSMD
899.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM36N60F2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 600В; 20А; Idm: 100А; 277Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора46нC КорпусTO263 МонтажSMD
581.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM36N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 20А; Idm: 100А; 277Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора46нC КорпусTO263 МонтажSMD
696.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM36N65F2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 650В; 20А; Idm: 100А; 277Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
363.15 
Доступность: 61 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM38N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 38А; 277Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
539.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM38N60FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 600В; 38А; 277Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
649.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM38N65FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 650В; 38А; 277Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусTO263 МонтажSMD
132.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM4N90D1, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 900В; 4А; Idm: 16А; 65Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусTO263 МонтажSMD
133.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM4N90D1B, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 900В; 4А; Idm: 16А; 63Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусTO263 МонтажSMD
983.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM53N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 26А; Idm: 90А; 350Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусTO263 МонтажSMD
1 129.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM53N60F2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 600В; 26А; Idm: 90А; 350Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусTO263 МонтажSMD
852.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM53N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86,2нC КорпусTO263 МонтажSMD
144.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM6N90D1, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 900В; 6А; Idm: 24А; 100Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
132.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM6N90D1B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 6А; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM80N08TS
165.90 
Доступность: 72 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM80N08TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора46нC КорпусTO263 МонтажSMD
876.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM80R160S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 800В; 15А; Idm: 96А; 250Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж