Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 435

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Заряд затвора34нC Код производителяSQD25N15-52_GE3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
513.19 
Доступность: 1960 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQD25N15-52_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 16А; 107Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSQD30N05-20L_GE3 КорпусTO252
153.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD30N05-20L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 55В; 30А; Idm: 120А; 50Вт" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC Код производителяSQD40052EL_GE3 КорпусTO252
99.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD40052EL_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; Idm: 120А; 62Вт" 2000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора85нC Код производителяSQD50N04-4M5L_GE3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
474.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50N04-4M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 136Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора34,6нC Код производителяSQD50N05-11L-GE3 КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
387.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50N05-11L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 32А; 75Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора152нC Код производителяSQJ126EP-T1_GE3 МонтажSMD
181.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ126EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500А; Idm: 776А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSQJ158EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
197.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ158EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; 45Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC Код производителяSQJ164ELP-T1_GE3 МонтажSMD
108.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ164ELP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 75А; Idm: 130А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSQJ170ELP-T1_GE3 МонтажSMD
103.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ170ELP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 63А; Idm: 66А; 136Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяSQJ402EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
271.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ402EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 32А; 83Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяSQJ422EP-T1_BE3 МонтажSMD
148.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ422EP-T1_BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 75А; Idm: 300А; 83Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяSQJ476EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
218.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ476EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 45Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSQJ486EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
308.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ486EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 17А; 56Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSQJ858AEP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
252.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ858AEP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 33А; 48Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC Код производителяSQJ868EP-T1_GE3 МонтажSMD
97.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ868EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 58А; Idm: 230А; 48Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC Код производителяSQJA16EP-T1_GE3 МонтажSMD
170.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJA16EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 278А; Idm: 575А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора455нC Код производителяSQJQ130EL-T1_GE3 КорпусPowerPAK® 8x8L
432.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ130EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 445А; Idm: 445А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора272нC Код производителяSQJQ184E-T1_GE3 КорпусPowerPAK® 8x8L
539.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ184E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 430А; Idm: 1200А" 2000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора95,5нC Код производителяSQM100N04-2M7_GE3 КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
628.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQM100N04-2M7_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 98А; 157Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,22мкC Код производителяSQM120N06-3M5L_GE3 КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
934.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQM120N06-3M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж