Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 434

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяSPW20N60S5 КорпусPG-TO247-3 МонтажTHT
932.77 
Доступность: 159 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPW20N60S5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; 208Вт; PG-TO247-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяSPW35N60C3 КорпусPG-TO247-3 МонтажTHT
1 140.43 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPW35N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 21,9А; 313Вт; PG-TO247-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяSPW35N60CFD КорпусPG-TO247-3 МонтажTHT
2 510.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPW35N60CFD, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21,6А; 313Вт; PG-TO247-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяSPW47N60C3 КорпусPG-TO247-3 МонтажTHT
2 207.66 
Доступность: 212 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPW47N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 47А; 415Вт; PG-TO247-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяSPW47N60CFDFKSA1 КорпусPG-TO247-3 МонтажTHT
2 880.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPW47N60CFDFKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 29А; 417Вт; PG-TO247-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяSPW47N65C3FKSA1 КорпусPG-TO247-3 МонтажTHT
5 044.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPW47N65C3FKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 30А; 415Вт; PG-TO247-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSPW55N80C3FKSA1 КорпусPG-TO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
2 143.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPW55N80C3FKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 850В; 34,7А; Idm: 150А; 500Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC Код производителяSQ1470AEH-T1_GE3 КорпусSC70, SOT363
150.64 
Доступность: 2883 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ1470AEH-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 6,7А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC Код производителяSQ2308CES-T1_GE3 КорпусSOT23
129.36 
Доступность: 47 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2308CES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 2А; Idm: 9А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,7нC Код производителяSQ2318AES-T1_GE3 КорпусSOT23
125.11 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2318AES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,6А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSQ2362ES-T1_GE3 КорпусSOT23
134.47 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2362ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,3А; Idm: 17А; 1Вт; SOT23" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC Код производителяSQ2364EES-T1_GE3
149.79 
Доступность: 3124 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2364EES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,4нC Код производителяSQ2398ES-T1_GE3 КорпусSOT23
165.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2398ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,6А; Idm: 2,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC Код производителяSQ3426AEEV-T1_GE3 КорпусTSOP6
85.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3426AEEV-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC Код производителяSQ3426EV-T1_GE3 КорпусTSOP6
134.47 
Доступность: 1738 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ3426EV-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC Код производителяSQ4050EY-T1_GE3 КорпусSO8
157.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4050EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 19А; Idm: 75А; 6Вт" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSQ4850EY-T1_GE3 КорпусSO8
284.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4850EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,9А; 6,8Вт; SO8" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSQ7414CENW-T1_GE3 МонтажSMD
266.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ7414CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 18А; Idm: 72А; 62Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC Код производителяSQA470EEJ-T1_GE3
74.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA470EEJ-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,25А; 13,6Вт; PowerPAK® SC70" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC Код производителяSQD100N04-3M6L-GE3 КорпусTO252
232.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD100N04-3M6L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 2000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж