Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 430

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC КорпусTO263 МонтажSMD
669.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM80R260S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 800В; 13А; Idm: 78А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусTO263 МонтажSMD
555.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM80R350S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусTO263 МонтажSMD
274.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM80R720S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 800В; 4,2А; Idm: 24А; 73Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM90N08TS
160.55 
Доступность: 84 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM90N08TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусTO263 МонтажSMD
669.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM90R360S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 900В; 7,8А; Idm: 52А; 183Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
321.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM90R830S, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 900В; 7А; 73Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263-7 МонтажSMD Обозначение производителяWMMB015N08HGS
454.13 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMMB015N08HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263-7 МонтажSMD Обозначение производителяWMMB020N10HG4
402.14 
Доступность: 190 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMMB020N10HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
60.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN03N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 2,5А; 29Вт; TO262" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
67.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN05N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 4А; 45Вт; TO262" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
70.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN06N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 5А; 50Вт; TO262" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
77.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN07N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 5А; 42Вт; TO262" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
81.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN07N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 5А; 42Вт; TO262" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
84.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN07N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 4А; 42Вт; TO262" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
81.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN07N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 6,8А; 55Вт; TO262" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
95.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN08N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 7А; 70Вт; TO262" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
81.04 
Доступность: 22 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMN09N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 6А; 45Вт; TO262" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
81.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMN09N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 6А; 45Вт; TO262" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
134.56 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMN10N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 8А; 57Вт; TO262" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO262 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
81.04 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMN10N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 8А; 57Вт; TO262" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж