Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 426

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,5нC Код производителяSIRA88DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
67.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA88DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 36,4А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC Код производителяSIRA90DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
399.49 
Доступность: 2208 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA90DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC Код производителяSIRA90DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
404.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA90DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC Код производителяSIRA96DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
130.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA96DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 65А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC Код производителяSIRC06DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
202.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRC06DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSIRC10DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
245.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRC10DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC Код производителяSIRC16DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
281.09 
Доступность: 2628 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRC16DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC Код производителяSIRC18DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
337.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRC18DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC Код производителяSIRS700DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
897.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRS700DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 102А; Idm: 350А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC Код производителяSIS106DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
281.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS106DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 16А; Idm: 40А; 15Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяSIS108DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
254.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 14,7А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяSIS110DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
153.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS110DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 11,4А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIS126DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
262.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS126DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 36,1А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIS128LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
244.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS128LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 26,9А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC Код производителяSIS176LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
249.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS176LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 33,8А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28,5нC Код производителяSIS178LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
233.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS178LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 36,2А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIS184DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
359.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS184DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 52,2А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC Код производителяSIS322DNT-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
177.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS322DNT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30,6А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSIS402DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
466.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS402DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяSIS406DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
132.03 
Доступность: 2982 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIS406DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12,2А; Idm: 50А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж