Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 423

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяSIR820DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
187.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR820DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC Код производителяSIR826ADP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR826ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC Код производителяSIR826BDP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
189.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR826BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 80,8А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC Код производителяSIR826DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR826DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора91нC Код производителяSIR826LDP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
178.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR826LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 86А; Idm: 200А; 83Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSIR836DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR836DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 21А; Idm: 50А; 10Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC Код производителяSIR846ADP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
243.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR846ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC Код производителяSIR846BDP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
189.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR846BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC Код производителяSIR846DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
282.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR846DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC Код производителяSIR862DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
166.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR862DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC Код производителяSIR870ADP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR870ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; Idm: 300А; 66,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC Код производителяSIR870ADP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
382.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR870ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSIR870BDP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
281.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR870BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC Код производителяSIR870DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
316.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR870DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC Код производителяSIR872ADP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR872ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 53,7А; Idm: 100А; 66,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC Код производителяSIR872ADP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
256.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR872ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 53,7А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC Код производителяSIR872DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
277.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR872DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 53,7А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49нC Код производителяSIR876ADP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
179.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR876ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 40А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC Код производителяSIR876BDP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
137.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR876BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 51,4А; Idm: 120А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSIR878BDP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR878BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 12А; Idm: 80А; 40Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж