Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 434

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO09N20DM
89.45 
Доступность: 270 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO09N20DM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO09N20DMH
91.74 
Доступность: 275 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO09N20DMH, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO100N07T1
169.72 
Доступность: 487 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO100N07T1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,8нC КорпусTO252 МонтажSMD
499.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N100C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 1кВ; 3,3А; Idm: 18А; 86Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC КорпусTO252 МонтажSMD
119.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N50C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 500В; 4,8А; Idm: 16А; 45Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
70.34 
Доступность: 1589 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO10N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 8А; 57Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
146.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
120.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусTO252 МонтажSMD
161.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N65EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 4,8А; Idm: 24А; 63Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
151.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N70C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 700В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусTO252 МонтажSMD
171.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N70EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 700В; 4,8А; Idm: 24А; 63Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
103.98 
Доступность: 2140 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO10N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10А; 85Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO115N15HG4
183.49 
Доступность: 45 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO115N15HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO119N12LG4
136.09 
Доступность: 94 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO119N12LG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
72.63 
Доступность: 2044 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO11N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 9А; 63Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
134.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 9А; 63Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,7нC КорпусTO252 МонтажSMD
151.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N65SR, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; полевой; 650В; 5,4А; Idm: 19А; 63Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
109.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 8А; 63Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,7нC КорпусTO252 МонтажSMD
166.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N70SR, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; полевой; 700В; 5,4А; Idm: 19А; 63Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
127.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10,5А; 85Вт; TO252" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж