Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 430

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC Код производителяSISS12DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
305.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS12DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 200А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSISS22DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
390.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS22DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 72,5А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяSISS22LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
309.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS22LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 74А; Idm: 150А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC Код производителяSISS26DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
396.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS26DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC Код производителяSISS26LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
327.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS26LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 65А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяSISS28DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
247.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS28DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSISS30ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
275.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS30ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 43,5А; Idm: 120А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSISS30DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
299.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS30DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 43,5А; Idm: 120А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSISS30LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
327.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS30LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 44А; Idm: 120А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSISS32ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
282.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS32ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 120А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSISS32DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
327.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS32DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC Код производителяSISS32LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
296.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS32LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 50,3А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяSISS40DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
155.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS40DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 29А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSISS42DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
406.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS42DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 32,4А; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC Код производителяSISS42LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
329.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS42LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 31,2А; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSISS46DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
406.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS46DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 36,2А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSISS50DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
245.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS50DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 86А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяSISS5108DN-T1-GE3 МонтажSMD
237.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS5108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 55,9А; Idm: 120А" 6000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC Код производителяSISS54DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
390.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS54DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 148,5А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяSISS5808DN-T1-GE3 МонтажSMD
193.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS5808DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 66,6А; Idm: 150А" 6000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж