Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 94

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
181.19 
Доступность: 1226 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19534Q5A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
318.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19534Q5AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора78нC КорпусTO220-3 МонтажTHT
765.29 
Доступность: 521 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19535KCS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 150А; 300Вт; TO220-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
686.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19535KTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусD2PAK МонтажSMD
765.29 
Доступность: 150 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19535KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора118нC КорпусTO220-3 МонтажTHT
859.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19536KCS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 150А; 375Вт; TO220-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
846.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD19536KTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора118нC КорпусD2PAK МонтажSMD
1 135.32 
Доступность: 75 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19536KTTT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусVSON-CLIP8 МонтажSMD
282.87 
Доступность: 165 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19537Q3T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 50А; 83Вт; VSON-CLIP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусWSON6 МонтажSMD
121.56 
Доступность: 1332 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19538Q2T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусVSONP8 МонтажSMD
106.27 
Доступность: 61 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD19538Q3AT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 15А; 23Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусWSON6 МонтажSMD
136.09 
Доступность: 259 шт.
 

Минимальное количество для товара "CSD87502Q2T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; 2,3Вт; WSON6; 2x2мм" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусQFN2X2
87.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI002N10PWK-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; QFN2X2; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусQFN2X2
80.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI002N10PWK, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; QFN2X2; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
122.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI004N06PWK-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4А; Idm: 16А; 1,65Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
108.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI004N06PWK, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4А; Idm: 16А; 1,65Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,7нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
61.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI005N03PW-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; Idm: 40А; 0,7Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
113.15 
Доступность: 465 шт.
 

Минимальное количество для товара "DI006N06PW-AQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 6А; Idm: 80А; 1,67Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусQFN2X2 МонтажSMD
126.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI006N06PW, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 6А; Idm: 80А; 1,67Вт; QFN2X2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSO8 МонтажSMD
148.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DI008N09SQ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 90В; 8А; Idm: 23А; 2Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж