Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом типа P

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
RAQ045P01TCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -18А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
RAQ045P01TCR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусTSMT6
‍99‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RAQ045P01TCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -18А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

RD3G01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -15А; Idm: -30А; 25Вт
0.0
RD3G01BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,3нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍193‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RD3G01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -15А; Idm: -30А; 25Вт" 1.

RD3G03BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -70А; 56Вт
0.0
RD3G03BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍271‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RD3G03BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -70А; 56Вт" 1.

RD3H045SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -4,5А; Idm: -9А; 15Вт
0.0
RD3H045SPTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍199‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RD3H045SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -4,5А; Idm: -9А; 15Вт" 1.

RD3H160SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -16А; Idm: -32А; 20Вт
0.0
RD3H160SPTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍289‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RD3H160SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -16А; Idm: -32А; 20Вт" 1.

RD3L01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; Idm: -20А; 26Вт
0.0
RD3L01BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,2нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍205‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RD3L01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; Idm: -20А; 26Вт" 1.

RD3L03BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -35А; Idm: -70А; 56Вт
0.0
RD3L03BATTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍254‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RD3L03BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -35А; Idm: -70А; 56Вт" 1.

RD3L140SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -14А; Idm: -28А; 20Вт
0.0
RD3L140SPTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍282‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RD3L140SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -14А; Idm: -28А; 20Вт" 1.

RE1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -400мА; 0,15Вт
0.0
RE1C001ZPTL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC89 МонтажSMD
‍37‍ ₽
Доступность: 1868 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RE1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -400мА; 0,15Вт" 1.

RE1C002ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт
0.0
RE1C002ZPTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT416F МонтажSMD
‍51‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RE1C002ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

RE1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 150мВт
0.0
RE1E002SPTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍45‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RE1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 150мВт" 1.

RF4C050APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -20А; 2Вт
0.0
RF4C050APTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
‍126‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RF4C050APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

RF4C100BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -36А; 2Вт
0.0
RF4C100BCTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
‍171‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RF4C100BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -36А; 2Вт" 1.

RF4E075ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт
0.0
RF4E075ATTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
‍125‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RF4E075ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт" 1.

RF4G060ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6А; Idm: -24А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4G060ATTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,2нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
‍176‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RF4G060ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6А; Idm: -24А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF4L040ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4L040ATTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,3нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
‍105‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RF4L040ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4А; Idm: -16А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF6C055BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,5А; Idm: -18А; 1Вт; SOT363T
0.0
RF6C055BCTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,2нC КорпусSOT363T МонтажSMD
‍173‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RF6C055BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,5А; Idm: -18А; 1Вт; SOT363T" 1.

RQ1A060ZPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6А; Idm: -24А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
RQ1A060ZPTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
‍186‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ1A060ZPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6А; Idm: -24А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ1A070APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
RQ1A070APTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
‍149‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ1A070APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ1A070ZPFRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
RQ1A070ZPFRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
‍143‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ1A070ZPFRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ1E070RPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
RQ1E070RPTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусTSMT8 МонтажSMD
‍250‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ1E070RPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ3C150BCTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -37А; Idm: -60А; 20Вт; HSMT8
0.0
RQ3C150BCTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍192‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3C150BCTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -37А; Idm: -60А; 20Вт; HSMT8" 1.

RQ3E075ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; Idm: -30А; 15Вт; HSMT8
0.0
RQ3E075ATTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍231‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3E075ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; Idm: -30А; 15Вт; HSMT8" 1.

RQ3E120ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39А; Idm: -48А; 20Вт; HSMT8
0.0
RQ3E120ATTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
‍192‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ3E120ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39А; Idm: -48А; 20Вт; HSMT8" 1.

Показать еще 24 товара
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)