Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 53

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
143.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2307BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD
69.02 
Доступность: 5334 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2307CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1,8Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
118.53 
Доступность: 10000 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2309CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
124.53 
Доступность: 112 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2315BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
131.28 
Доступность: 2850 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,5А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
79.52 
Доступность: 74 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3,6А; Idm: -15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT23 МонтажSMD
177.04 
Доступность: 455 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT23 МонтажSMD
123.78 
Доступность: 1760 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3А; Idm: -12А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT23 МонтажSMD
122.28 
Доступность: 1454 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2323CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
105.78 
Доступность: 604 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
71.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2323DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
162.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2323DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
252.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2325DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,53А; Idm: -1,6А; 0,48Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
241.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2325DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,43А; 0,48Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
144.79 
Доступность: 2515 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2329DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -6А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSOT23 МонтажSMD
45.76 
Доступность: 20097 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2333-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -12В; -6А; Idm: -20А; 1,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT23 МонтажSMD
144.79 
Доступность: 790 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2333CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -7,1А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT23 МонтажSMD
173.29 
Доступность: 1940 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2333CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,7А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусSOT23 МонтажSMD
102.03 
Доступность: 674 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2333DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSOT23 МонтажSMD
140.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2333DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -5,3А; Idm: -20А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж