Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 58

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
126.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7615CDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; 21,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
213.80 
Доступность: 2586 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13,9А; Idm: -60А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
163.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7619DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -24А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
208.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -17,3А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора177нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
184.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7629DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора225нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
221.31 
Доступность: 3038 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7655ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -40А; Idm: -100А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
147.04 
Доступность: 878 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI8487DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
267.07 
Доступность: 2836 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
213.80 
Доступность: 889 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
256.56 
Доступность: 1918 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD
221.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9433BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5А; 2,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSO8 МонтажSMD
154.54 
Доступность: 1934 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9933CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
84.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA413ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
198.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA413DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
40.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA4263DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -32А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
28.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA4265EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
54.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA429DJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
69.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA433EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
66.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA437DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -29,7А; Idm: -60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
147.79 
Доступность: 2715 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA441DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -12А; Idm: -30А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж