Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 56

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
176.61 
Доступность: 3712 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDT452AP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; 3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
35.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTA4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,301Вт; SC75" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTB25P06T4G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -27,5А; 120Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусDPAK МонтажSMD
157.49 
Доступность: 2425 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD20P06LT4G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -15,5А; 65Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK МонтажSMD
183.49 
Доступность: 668 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD25P03LT4G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -25А; 75Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусDPAK МонтажSMD
149.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTDV20P06LT4G-VF01, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 60В; 15,5А; Idm: 50А; 65Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусTO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-100В
1 374.62 
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTE2371, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -13А; Idm: -72А; 150Вт; TO220" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусTO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-200В
1 304.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTE2373, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт; TO220" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-200В
706.42 
Доступность: 26 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTE2905, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -7,5А; Idm: -48А; 150Вт; TO247" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусTO220F МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
1 030.58 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTE2919, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F" 1.

Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток40В Обозначение производителяNTE326
671.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTE326, Транзистор: P-JFET; полевой; 0,31Вт; TO92; 10мА" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусSC89 МонтажSMD
17.58 
Доступность: 4820 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTE4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 313мВт; SC89" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
201.07 
Доступность: 1227 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; 2,3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTF5P03T3G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 3,13Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
181.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3136PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -20А; 700мВт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
129.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3433T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,35А; Idm: -14А; 1Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
94.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3441T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,35А; 1Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
90.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3443T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,1А; 1Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
62.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3455T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; 2Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
63.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS4111PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; 1,25Вт; TSOP6" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж