Товары из категории транзисторы с каналом типа p, стр.56

Производитель

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SI5457DC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
77.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI5457DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI5618-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
71.15 
Доступность: 627 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI5618-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,2А; Idm: -7,6А; 830мВт" 1.

0.0
SI5618A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
72.73 
Доступность: 1677 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI5618A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт" 1.

0.0
SI7101DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
233.99 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI7101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

0.0
SI7113DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
256.13 
Доступность: 2032 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI7113DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -3,5А; Idm: -20А; 33Вт" 1.

0.0
SI7115DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
330.43 
Доступность: 1843 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI7115DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -8,9А; Idm: -15А; 33Вт" 1.

0.0
SI7119DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
201.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI7119DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -5А; 33Вт" 1.

0.0
SI7121ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
128.06 
Доступность: 1864 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI7121ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -50А; 17,8Вт" 1.

0.0
SI7145DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора413нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
328.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI7145DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -100А" 1.

0.0
SI7149ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43,1нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
135.18 
Доступность: 3541 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI7149ADP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; 31Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SI7153DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
140.71 
Доступность: 2241 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI7153DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -100А" 1.

0.0
SI7155DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора330нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
278.26 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI7155DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -100А; Idm: -200А" 1.

0.0
SI7317DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
164.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI7317DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -2,8А; Idm: -2А" 1.

0.0
SI7461DP-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,19мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
482.21 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI7461DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; -11,5А; Idm: -60А" 1.

0.0
SI7461DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,19мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
464.82 
Доступность: 5212 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI7461DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,6А; Idm: -60А; 1,2Вт" 1.

0.0
SI7465DP-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
205.53 
Доступность: 1601 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI7465DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5А; Idm: -25А" 1.

0.0
SI7469DP-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
341.50 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI7469DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -28А; Idm: -40А" 1.

0.0
SI7469DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
409.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI7469DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -28А; Idm: -40А; 53Вт" 1.

0.0
SI7489DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
458.50 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI7489DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -28А; Idm: -40А; 53Вт" 1.

0.0
SI7615ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора183нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
127.27 
Доступность: 2974 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI7615ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)
Хиты продаж