Товары из категории транзисторы с каналом типа p , стр.6

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC КорпусD2PAK МонтажSMD
1 253.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AUIRF4905S, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -44А; 170Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора26нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AUIRF7342QTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -3,4А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение сток-исток-55В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AUIRFR5305TR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -31А; 110Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусTO252AA МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-55В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AUIRFR5305TRL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -22А; Idm: -110А; 110Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора19нC КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "AUIRFR9024NTRL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -8А; Idm: -44А; 38Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
107.80 
Доступность: 759 шт.
 

Минимальное количество для товара "BS250FTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -0,09А; Idm: -1,6А; 0,33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
205.66 
Доступность: 1888 шт.
 

Минимальное количество для товара "BS250P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -0,23А; 0,7Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
336.39 
Доступность: 3089 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC030P03NS3GAUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC060P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC084P03NS3EGATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -78,6А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
74.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC084P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -78,6А; 69Вт; PG-TDSON-8" 5000.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT-363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
54.28 
Доступность: 1820 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSD223PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
74.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSH201,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; 170мВт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
54.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSH202,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,33А; 0,17Вт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
68.04 
Доступность: 73 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSH203,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,3А; 170мВт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
71.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSH205G2R, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,2А; 890мВт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
120.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSL207SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 2Вт; PG-TSOP-6" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
97.86 
Доступность: 2939 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSL211SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,7А; 2Вт; PG-TSOP-6" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
107.80 
Доступность: 505 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSL307SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,5А; 2Вт; PG-TSOP-6" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-DSO-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
288.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSO080P03SHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12,6А; 1,79Вт; PG-DSO-8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж