Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом типа P

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
SIHFR9220TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
0.0
SIHFR9220TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍142‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9220TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт" 1.

SIHFR9220TRR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
0.0
SIHFR9220TRR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍142‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9220TRR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт" 1.

SIHFR9310-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
0.0
SIHFR9310-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍163‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9310-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт" 1.

SIHFR9310TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
0.0
SIHFR9310TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍256‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9310TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт" 1.

SIHFR9310TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
0.0
SIHFR9310TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍175‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9310TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт" 1.

SIHFU9020-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -6,3А; Idm: -40А; 42Вт
0.0
SIHFU9020-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора14нC КорпусIPAK, TO251 МонтажTHT
‍142‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFU9020-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -6,3А; Idm: -40А; 42Вт" 1.

SIHFU9310-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
0.0
SIHFU9310-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора13нC КорпусIPAK, TO251 МонтажTHT
‍139‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFU9310-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт" 1.

SIJ4819DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -62А; Idm: -145А
0.0
SIJ4819DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍265‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIJ4819DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -62А; Idm: -145А" 3000.

SIR1309DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -65,7А; Idm: -150А
0.0
SIR1309DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍76‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR1309DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -65,7А; Idm: -150А" 3000.

SIR165DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А
0.0
SIR165DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора138нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍161‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR165DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 3000.

SIR167DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А
0.0
SIR167DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍102‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR167DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 3000.

SIR401DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -50А; Idm: -80А
0.0
SIR401DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора310нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍110‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR401DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -50А; Idm: -80А" 3000.

SIR403EDP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -40А; Idm: -60А
0.0
SIR403EDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍87‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR403EDP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -40А; Idm: -60А" 3000.

SIR681DP-T1-RE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -71,9А; Idm: -125А
0.0
SIR681DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍272‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR681DP-T1-RE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -71,9А; Idm: -125А" 3000.

SIR871DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -48А; Idm: -300А
0.0
SIR871DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍236‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR871DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -48А; Idm: -300А" 3000.

SIRA01DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20,8А; Idm: -150А
0.0
SIRA01DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора112нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍251‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA01DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20,8А; Idm: -150А" 1.

SIRA99DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -156А; Idm: -400А
0.0
SIRA99DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍448‍ ₽
Доступность: 2655 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA99DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -156А; Idm: -400А" 1.

SIS407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А; 21Вт
0.0
SIS407DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93,8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍205‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А; 21Вт" 1.

SIS413DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -70А
0.0
SIS413DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍126‍ ₽
Доступность: 3167 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIS413DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -70А" 1.

SIS415DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А
0.0
SIS415DNT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
‍143‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIS415DNT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

Показать еще 20 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)