Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа P

SI7615CDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; 21,1Вт

0.0

КОД:

SI7615CDN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍147‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI7615CDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; 21,1Вт" 1.

SI7617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13,9А; Idm: -60А; 33Вт

0.0

КОД:

SI7617DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍153‍ ₽

Доступность: 2785 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI7617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13,9А; Idm: -60А; 33Вт" 1.

SI7619DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -24А; Idm: -50А

0.0

КОД:

SI7619DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍121‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI7619DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -24А; Idm: -50А" 1.

SI7625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -17,3А; Idm: -80А; 33Вт

0.0

КОД:

SI7625DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍142‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI7625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -17,3А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

SI7629DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А

0.0

КОД:

SI7629DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора177нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

‍190‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI7629DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

SI7655ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -40А; Idm: -100А; 36Вт

0.0

КОД:

SI7655ADN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора225нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

‍207‍ ₽

Доступность: 2750 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI7655ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -40А; Idm: -100А; 36Вт" 1.

SI8487DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт

0.0

КОД:

SI8487DB-T1-E1

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD

‍160‍ ₽

Доступность: 883 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI8487DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт" 1.

SI9407BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А; 3,2Вт; SO8

0.0

КОД:

SI9407BDY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍143‍ ₽

Доступность: 2177 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А; 3,2Вт; SO8" 1.

SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SI9407BDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍263‍ ₽

Доступность: 2080 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А" 1.

SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8

0.0

КОД:

SI9407BDY-E3

Вид каналаобогащенный Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍250‍ ₽

Доступность: 3037 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8" 1.

SI9433BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5А; 2,5Вт; SO8

0.0

КОД:

SI9433BDY-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍228‍ ₽

Доступность: 1 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI9433BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5А; 2,5Вт; SO8" 1.

SI9933CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

SI9933CDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍164‍ ₽

Доступность: 1514 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI9933CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 2Вт; SO8" 1.

SIA413ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А

0.0

КОД:

SIA413ADJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍87‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA413ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А" 3000.

SIA413DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А

0.0

КОД:

SIA413DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍147‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA413DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А" 1.

SIA4263DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -32А

0.0

КОД:

SIA4263DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍42‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA4263DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -32А" 3000.

SIA4265EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SIA4265EDJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍30‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA4265EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А" 3000.

SIA429DJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -30А

0.0

КОД:

SIA429DJT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍55‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA429DJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -30А" 3000.

SIA433EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А

0.0

КОД:

SIA433EDJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

‍70‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA433EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 3000.

SIA437DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -29,7А; Idm: -60А

0.0

КОД:

SIA437DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

‍68‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SIA437DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -29,7А; Idm: -60А" 3000.

SIA441DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -12А; Idm: -30А

0.0

КОД:

SIA441DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

‍115‍ ₽

Доступность: 2865 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SIA441DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -12А; Idm: -30А" 1.