Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 69

Фильтры товаров
Производитель
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC Код производителяRRS100P03HZGTB
417.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRS100P03HZGTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC Код производителяRS1E220ATTB1 КорпусHSOP8
136.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1E220ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -76А; Idm: -88А; 34Вт; HSOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC Код производителяRS1G201ATTB1 КорпусHSOP8
177.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1G201ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -78А; Idm: -80А; 40Вт; HSOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC Код производителяRS1L151ATTB1 КорпусHSOP8
185.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1L151ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -56А; Idm: -60А; 40Вт; HSOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяRS3E075ATTB КорпусSOP8
118.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS3E075ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC Код производителяRS3E180ATTB1 КорпусSOP8
124.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS3E180ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; Idm: -72А; 2Вт; SOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC Код производителяRS3G160ATTB1 КорпусSOP8
136.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS3G160ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16А; Idm: -64А; 2Вт; SOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора115нC Код производителяRS3L110ATTB1 КорпусSOP8
151.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS3L110ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -11А; Idm: -44А; 2Вт; SOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRSC002P03T316 КорпусSOT23 МонтажSMD
44.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSC002P03T316, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,25А; 200мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,3нC Код производителяRSF010P05TL КорпусTUMT3
119.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSF010P05TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -1А; Idm: -4А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяRSH070P05GZETB КорпусSOP8
138.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSH070P05GZETB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -7А; Idm: -28А; 2Вт; SOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяRSH070P05TB1 КорпусSOP8
126.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSH070P05TB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -7А; Idm: -28А; 2Вт; SOP8" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC Код производителяRSJ151P10TL КорпусD2PAK
305.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ151P10TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; Idm: -30А; 50Вт; D2PAK" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяRSJ250P10FRATL
414.97 
Доступность: 57 шт.
 

Минимальное количество для товара "RSJ250P10FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяRSJ250P10TL КорпусD2PAK
626.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ250P10TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRSM002P03T2L КорпусVMT3 МонтажSMD
67.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSM002P03T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 150мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяRSQ015P10FRATR КорпусTSMT6
170.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ015P10FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяRSQ015P10HZGTR КорпусTSMT6
185.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ015P10HZGTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,4нC Код производителяRSQ025P03FRATR КорпусTSMT6
56.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ025P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,2нC Код производителяRSQ035P03FRATR КорпусTSMT6
69.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ035P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж