Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 66

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,3нC Код производителяRD3G01BATTL1 КорпусDPAK, TO252
261.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3G01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -15А; Idm: -30А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяRD3G03BATTL1 КорпусDPAK, TO252
330.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3G03BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -35А; Idm: -70А; 56Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC Код производителяRD3G07BATTL1 КорпусDPAK, TO252
147.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3G07BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -70А; Idm: -140А; 101Вт" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяRD3H045SPTL1 КорпусDPAK, TO252
289.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3H045SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -4,5А; Idm: -9А; 15Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC Код производителяRD3H080SPFRATL КорпусDPAK, TO252
73.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3H080SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -8А; Idm: -16А; 15Вт" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяRD3H160SPFRATL КорпусDPAK, TO252
90.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3H160SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -16А; Idm: -32А; 20Вт" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяRD3H160SPTL1 КорпусDPAK, TO252
330.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3H160SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -16А; Idm: -32А; 20Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,2нC Код производителяRD3L01BATTL1 КорпусDPAK, TO252
274.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3L01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; Idm: -20А; 26Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC Код производителяRD3L03BATTL1 КорпусDPAK, TO252
363.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3L03BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -35А; Idm: -70А; 56Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC Код производителяRD3L07BATTL1 КорпусDPAK, TO252
177.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3L07BATTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -70А; Idm: -140А; 101Вт" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяRD3L140SPFRATL КорпусDPAK, TO252
106.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3L140SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -14А; Idm: -28А; 20Вт" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяRD3L140SPTL1 КорпусDPAK, TO252
375.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3L140SPTL1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -14А; Idm: -28А; 20Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяRD3P130SPFRATL КорпусDPAK, TO252
88.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3P130SPFRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -13А; Idm: -52А; 20Вт" 2500.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRE1C001ZPTL КорпусSC89
40.82 
Доступность: 1867 шт.
 

Минимальное количество для товара "RE1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -400мА; 0,15Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC Код производителяRE1C002ZPTL КорпусSOT416F
59.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1C002ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRE1E002SPTCL КорпусSOT416F МонтажSMD
48.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 150мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC Код производителяRF4C050APTR КорпусDFN2020-8S
138.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4C050APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,5нC Код производителяRF4C100BCTCR КорпусDFN2020-8S
188.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4C100BCTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -10А; Idm: -36А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяRF4E075ATTCR КорпусDFN2020-8S
136.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4E075ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,2нC Код производителяRF4G060ATTCR КорпусDFN2020-8S
202.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4G060ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6А; Idm: -24А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж