Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 70

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
51.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSR015P06FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,5А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
146.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSR015P06HZGTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,5А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,4нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
47.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSR025P03FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 1Вт; TSMT3" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусSOP8 МонтажSMD
126.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSS060P05FRATB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -6А; Idm: -24А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
45.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSU002P03T106, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 200мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC КорпусTUMT6 МонтажSMD
99.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTL020P02FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TUMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,4нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
46.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTQ025P02FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
139.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTQ035P02FHATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
47.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR020P02FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TSMT3" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
50.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR025P02FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 1Вт; TSMT3" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,3нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
127.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR030P02FHATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; TSMT3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323F МонтажSMD
29.05 
Доступность: 55 шт.
 

Минимальное количество для товара "RU1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 200мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT323F МонтажSMD
31.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1C002ZPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323F МонтажSMD
35.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 200мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусX2-DFN0806-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
43.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV1C001ZPT2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 100мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
68.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C014BCT2CL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -2,8А; 600мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,4нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
78.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF013P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -5,2А; 800мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
114.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF020P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
86.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF030P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 800мВт; TUMT3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
28.29 
Доступность: 458 шт.
 

Минимальное количество для товара "RZM001P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -0,4А; 150мВт; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж