Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 83

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC Код производителяSI7613DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7613DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора183нC Код производителяSI7615ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
154.76 
Доступность: 1584 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7615ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC Код производителяSI7615CDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
142.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7615CDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; 21,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC Код производителяSI7617DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
242.35 
Доступность: 2412 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13,9А; Idm: -60А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI7619DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
185.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7619DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -24А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC Код производителяSI7623DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7623DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC Код производителяSI7625DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
236.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -17,3А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора177нC Код производителяSI7629DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
209.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7629DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора260нC Код производителяSI7633DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7633DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -60А; Idm: -100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора225нC Код производителяSI7655ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
250.85 
Доступность: 1699 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7655ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -40А; Idm: -100А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора225нC Код производителяSI7655DN-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7655DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -40А; Idm: -100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSI7949DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7949DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -25А; 0,94Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI8401DB-T1-E1 КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8401DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,9А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI8401DB-T1-E3 КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8401DB-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,9А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяSI8409DB-T1-E1 КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8409DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,3А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSI8413DB-T1-E1 КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8413DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSI8425DB-T1-E1 КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8425DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9,3А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSI8429DB-T1-E1 КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8429DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -11,7А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC Код производителяSI8457DB-T1-E1 КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8457DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -10,2А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC Код производителяSI8481DB-T1-E1 КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8481DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9,7А; Idm: -30А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж