Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 86

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
107.80 
Доступность: 2328 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA483DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
42.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA485DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,6А; Idm: -2А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
45.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA811ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
32.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA817EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -30В; -4,5А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
122.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA921EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
124.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA929DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA931DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; Idm: -28А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
147.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA975DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
42.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB417EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -9А; Idm: -15А; 13Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
38.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB433EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
31.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB441EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -9А; Idm: -40А" 3000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SC75
102.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB457EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
175.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF9520S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
129.97 
Доступность: 909 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHF9530S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
304.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF9640S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
239.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHF9Z34STRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -13А; Idm: -72А; 88Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
126.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR9014-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
126.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR9014TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
126.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR9014TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
127.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHFR9020TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -6,3А; Idm: -40А; 42Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж