Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 96

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
151.38 
Доступность: 175 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0606N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
151.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP0606N3-G-P002, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
151.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP0606N3-G-P003, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSOT23
72.63 
Доступность: 43 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0610K-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -0,115А; 0,14Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
192.66 
Доступность: 127 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0610T-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,05А; SOT23-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP0620N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
157.49 
Доступность: 124 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2104K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
107.03 
Доступность: 577 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2104N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
111.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2104N3-G-P003, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2435N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,8А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
229.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2502N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
209.48 
Доступность: 1220 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2510N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
232.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2520N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2522N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
79.51 
Доступность: 317 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2535N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,4А; 740мВт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
235.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2540N3-G-P002, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -86мА; Idm: -0,6А; 740мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
232.42 
Доступность: 270 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2540N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2635N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,7А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
342.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2640LG-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,7А; 740мВт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
284.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2640N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,7А; 1Вт; TO92" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж