Товары из категории транзисторы униполярные - страница 232

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
164.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC8882, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; 18Вт; WDFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPower33 МонтажSMD
371.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC89521L, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 8,2А; Idm: 40А; 16Вт; Power33" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPower33 МонтажSMD
341.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC9430L-F085, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 12А; 11,4Вт; Power33" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусPQFN12 МонтажSMD
657.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD82100, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 25А; Idm: 80А; 2,1Вт; PQFN12" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPQFN12 МонтажSMD
366.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD82100L, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 24А; Idm: 80А; 38Вт; PQFN12" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPQFN12 МонтажSMD
699.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD8240L, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 62А; Idm: 464А; 42Вт; PQFN12" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPQFN12 МонтажSMD
647.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD8240LET40, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 73А; Idm: 489А; 50Вт; PQFN12" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPQFN12 МонтажSMD
531.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD8260L, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 40А; Idm: 293А; 37Вт; PQFN12" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPQFN12 МонтажSMD
1 077.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD8260LET60, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 47А; Idm: 304А; 44Вт; PQFN12" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPQFN8 МонтажSMD
822.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD8280, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 40А; Idm: 160А; 38Вт; PQFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусPQFN8 МонтажSMD
555.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD84100, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 21А; Idm: 80А; 23Вт; PQFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPQFN8 МонтажSMD
787.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD86100, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 24А; Idm: 299А; 33Вт; PQFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора73нC КорпусPQFN8 МонтажSMD
686.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMD8680, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 80В; 42А; Idm: 487А; 39Вт; PQFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,7нC КорпусMicroFET МонтажSMD
146.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME1023PZT, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2,6А; Idm: -6А; 1,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусMicroFET МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME1024NZT, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,8А; 1,4Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,7/4,2нC КорпусuDFN6 МонтажSMD
188.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME1034CZT, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,8/-2,6А; 1,4Вт; uDFN6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусMicroFET МонтажSMD
144.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME510PZT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -15А; 2,1Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусMicroFET МонтажSMD
170.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME820NZT, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 9А; Idm: 40А; 2,1Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусMicroFET МонтажSMD
183.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME905PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -8А; Idm: -30А; 2,1Вт; MicroFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусuDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
144.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME910PZT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,1Вт; uDFN6" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж