Товары из категории транзисторы униполярные - страница 263

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...20В
5 353.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R020M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
3 854.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R030M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 45А; Idm: 150А; 114Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-10...20В
3 389.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R045M1XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; Idm: 130А; 114Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 026.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R060M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 26А; Idm: 76А; 75Вт; TO247" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 428.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт; TO247" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 329.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R140M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 13А; Idm: 32А; 47Вт; TO247" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 707.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R220M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 9,5А; Idm: 21А; 37,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
947.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R350M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 4,7А; Idm: 13А; 30Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
5 162.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW65R027M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 39А; Idm: 185А; 189Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
4 003.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW65R048M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 24А; Idm: 100А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
3 007.65 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "IMW65R072M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 18А; Idm: 69А; 96Вт; TO247" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-5...23В
1 503.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW65R107M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 13А; Idm: 48А; 75Вт; TO247" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
3 787.46 
Доступность: 28 шт.
 

Минимальное количество для товара "IMZ120R030M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 45А; Idm: 150А; 114Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-10...20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMZ120R045M1XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; Idm: 130А; 114Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
2 113.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMZ120R060M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 26А; Idm: 76А; 75Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 645.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMZ120R090M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 350.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMZ120R140M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 13А; Idm: 32А; 47Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 174.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMZ120R220M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 9,5А; Idm: 21А; 37,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...23В
1 071.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMZ120R350M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 4,7А; Idm: 13А; 30Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...20В
6 691.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMZA120R020M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж