Товары из категории транзисторы униполярные - страница 421

Производитель
Вид каналаобогащенный Время готовности50нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSMPD
5 118.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MKE38RK600DFELB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 50А; SMPD; диод/транзистор" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
40.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMBF0201NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,24А; 0,225Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
32.87 
Доступность: 215 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF170, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкикатушка 7 дюймов, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
42.05 
Доступность: 6729 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF170-7-F, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; Idm: 0,8А; 0,3Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
43.58 
Доступность: 3932 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF170LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
53.52 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF2201NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 240мА; Idm: 750А; 150мВт" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-40В Обозначение производителяMMBF4117
103.98 
Доступность: 434 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF4117, Транзистор: N-JFET; полевой; 30мкА; 225мВт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-30В Напряжение сток-исток30В
74.16 
Доступность: 3041 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF4391LT1G, Транзистор: N-JFET; полевой; 30В; 50мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-30В Напряжение сток-исток30В
64.98 
Доступность: 834 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF4392LT1G, Транзистор: N-JFET; полевой; 30В; 25мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-40В Обозначение производителяMMBF5103
62.69 
Доступность: 2965 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBF5103, Транзистор: N-JFET; полевой; 10мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-25В Обозначение производителяMMBFJ108
85.63 
Доступность: 1536 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ108, Транзистор: N-JFET; полевой; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-25В Обозначение производителяMMBFJ110
108.56 
Доступность: 2834 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ110, Транзистор: N-JFET; полевой; 10мА; 0,46Вт; SOT23; Igt: 10мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-35В Обозначение производителяMMBFJ111
82.57 
Доступность: 3130 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ111, Транзистор: N-JFET; полевой; 20мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-35В Обозначение производителяMMBFJ112
72.63 
Доступность: 5972 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ112, Транзистор: N-JFET; полевой; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-35В Обозначение производителяMMBFJ113
66.51 
Доступность: 2061 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ113, Транзистор: N-JFET; полевой; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток30В Обозначение производителяMMBFJ175LT1G
77.98 
Доступность: 771 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ175LT1G, Транзистор: P-JFET; полевой; 7мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток30В Обозначение производителяMMBFJ176
107.80 
Доступность: 2988 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ176, Транзистор: P-JFET; полевой; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток30В Обозначение производителяMMBFJ177LT1G
57.34 
Доступность: 10845 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ177LT1G, Транзистор: P-JFET; полевой; 1,5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-40В Обозначение производителяMMBFJ201
70.34 
Доступность: 1906 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ201, Транзистор: N-JFET; полевой; 200мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-40В Обозначение производителяMMBFJ202
74.16 
Доступность: 2777 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMBFJ202, Транзистор: N-JFET; полевой; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж