Товары из категории транзисторы униполярные - страница 418

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 876.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M50120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 327Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 960.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M50120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 344Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора78нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 169.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M60065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 36А; Idm: 97А; 208Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора69нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 607.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M70120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; Idm: 85А; 200Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора76нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 119.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M80120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 28А; Idm: 80А; 208Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,8нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 119.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M80120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 23А; 136Вт; D2PAK-7" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора76нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
2 169.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M80120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 31А; Idm: 70А; 300Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора150нC Конструкция диодаобщий источник КорпусISOPLUS264™-5
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LKK47-06C5, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 600В; 47А; 278Вт; ISOPLUS264™-5" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-5 МонтажSMD Напряжение сток-исток
122.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND01K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 9В; 330мА; Idm: 0,6А; 0,36Вт; SOT23-5" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
181.96 
Доступность: 880 шт.
 

Минимальное количество для товара "LND150K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 0,03А; 360мВт" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
133.79 
Доступность: 189 шт.
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 740мВт; TO92" 3.

Вид каналаобедненный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
129.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G-P002, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
129.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
129.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G-P013, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
129.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G-P014, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
149.08 
Доступность: 58 шт.
 

Минимальное количество для товара "LND150N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 1,6Вт" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
107.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND250K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13мА; Idm: 30А; 0,36Вт; SOT23-3" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
402.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LP0701LG-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -16,5В; -1,25А; 1,5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±10В
427.37 
Доступность: 1000 шт.
 

Минимальное количество для товара "LP0701N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -16,5В; -1,25А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора95нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
3 431.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120E0080, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25А; Idm: 80А; 179Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж