Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории транзисторы униполярные - страница 425

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
MMFTP3401-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -27А; 1,4Вт; SOT23
0.0
MMFTP3401-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
59.63 ₽
Доступность: 2600 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP3401-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -27А; 1,4Вт; SOT23" 1.

MMFTP3401, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -27А; 1,4Вт; SOT23
0.0
MMFTP3401-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
29.05 ₽
Доступность: 101888 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP3401, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -27А; 1,4Вт; SOT23" 1.

MMFTP4042K-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; Idm: -8А; 540мВт; SOT23
0.0
MMFTP4042K-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,2нC КорпусSOT23
63.46 ₽
Доступность: 2580 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP4042K-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; Idm: -8А; 540мВт; SOT23" 1.

MMFTP4042K, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; Idm: -8А; 540мВт; SOT23
0.0
MMFTP4042K-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,2нC КорпусSOT23
61.16 ₽
Доступность: 2869 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP4042K, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; Idm: -8А; 540мВт; SOT23" 1.

MMFTP5618-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,25А; Idm: -10А; 0,5Вт; SOT23
0.0
MMFTP5618-AQ-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
68.04 ₽
Доступность: 2608 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP5618-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,25А; Idm: -10А; 0,5Вт; SOT23" 1.

MMFTP5618, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,25А; Idm: -10А; 0,5Вт; SOT23
0.0
MMFTP5618-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
63.46 ₽
Доступность: 2210 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP5618, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,25А; Idm: -10А; 0,5Вт; SOT23" 1.

MMFTP6312D, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,3А; Idm: -7А; 0,7Вт
0.0
MMFTP6312D-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,4нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
50.46 ₽
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP6312D, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,3А; Idm: -7А; 0,7Вт" 1.

MMFTP6341KW, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; SOT363
0.0
MMFTP6341KW-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSOT363 МонтажSMD
28.29 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMFTP6341KW, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; SOT363" 5.

MMFTP84, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,25Вт
0.0
MMFTP84-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
24.46 ₽
Доступность: 1690 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP84, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,25Вт" 1.

MMFTP84K-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт
0.0
MMFTP84K-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD
19.88 ₽
Доступность: 1603 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP84K-AQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт" 1.

MMFTP84W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт
0.0
MMFTP84W-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
29.82 ₽
Доступность: 1057 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMFTP84W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт" 1.

MMIX1F132N50P3, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 500В; 63А; Idm: 330А; 520Вт
0.0
MMIX1F132N50P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора267нC КорпусSMPD МонтажSMD
10 155.96 ₽
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F132N50P3, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 500В; 63А; Idm: 330А; 520Вт" 1.

MMIX1F160N30T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 300В; 102А; Idm: 440А; SMPD
0.0
MMIX1F160N30T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора367нC КорпусSMPD МонтажSMD
9 479.36 ₽
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F160N30T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 300В; 102А; Idm: 440А; SMPD" 1.

MMIX1F180N25T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 250В; 132А; Idm: 500А; SMPD
0.0
MMIX1F180N25T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора364нC КорпусSMPD МонтажSMD
9 479.36 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F180N25T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 250В; 132А; Idm: 500А; SMPD" 1.

MMIX1F210N30P3, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 300В; 108А; Idm: 550А; 520Вт
0.0
MMIX1F210N30P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора268нC КорпусSMPD МонтажSMD
10 056.57 ₽
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F210N30P3, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 300В; 108А; Idm: 550А; 520Вт" 1.

MMIX1F230N20T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 200В; 156А; Idm: 630А; SMPD
0.0
MMIX1F230N20T
Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора358нC КорпусSMPD МонтажSMD
9 479.36 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F230N20T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 200В; 156А; Idm: 630А; SMPD" 1.

MMIX1F360N15T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 150В; 235А; Idm: 900А; SMPD
0.0
MMIX1F360N15T2
Вид каналаобогащенный Время готовности150нс Заряд затвора715нC КорпусSMPD МонтажSMD
9 777.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F360N15T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 150В; 235А; Idm: 900А; SMPD" 1.

MMIX1F40N110P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,1кВ; 24А; Idm: 100А; 500Вт
0.0
MMIX1F40N110P
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора310нC КорпусSMPD МонтажSMD
12 824.92 ₽
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F40N110P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,1кВ; 24А; Idm: 100А; 500Вт" 1.

MMIX1F420N10T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 100В; 334А; Idm: 1кА; 680Вт
0.0
MMIX1F420N10T
Вид каналаобогащенный Время готовности140нс Заряд затвора670нC КорпусSMPD МонтажSMD
9 777.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F420N10T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 100В; 334А; Idm: 1кА; 680Вт" 1.

MMIX1F44N100Q3, Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; полевой; 1кВ; 30А; Idm: 110А; 694Вт
0.0
MMIX1F44N100Q3
Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора264нC КорпусSMPD МонтажSMD
11 371.56 ₽
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "MMIX1F44N100Q3, Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; полевой; 1кВ; 30А; Idm: 110А; 694Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторные модули MOSFET
Транзисторы многоканальные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом типа P
Транзисторы - неклассифицированные
Транзисторы биполярные
Транзисторы однопереходные
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж