Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории транзисторы униполярные - страница 438

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
NTHL190N65S3HF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12,7А; Idm: 50А; 162Вт; TO247
0.0
NTHL190N65S3HF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора34нC КорпусTO247 МонтажTHT
897.55 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTHL190N65S3HF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12,7А; Idm: 50А; 162Вт; TO247" 1.

NTHLD040N65S3HF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 45А; Idm: 162,5А; 446Вт; TO247
0.0
NTHLD040N65S3HF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора159нC КорпусTO247 МонтажTHT
2 249.24 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTHLD040N65S3HF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 45А; Idm: 162,5А; 446Вт; TO247" 1.

NTHS4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,8А; 0,7Вт; ChipFET
0.0
NTHS4101PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусChipFET МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTHS4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,8А; 0,7Вт; ChipFET" 1.

NTJD4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт
0.0
NTJD4001NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
65.75 ₽
Доступность: 1789 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTJD4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт" 1.

NTJD4105CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В
0.0
NTJD4105CT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/4нC
57.34 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTJD4105CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В" 1.

NTJD4105CT2G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В
0.0
NTJD4105CT2G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD
87.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTJD4105CT2G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В" 1.

NTJD4401NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,46А; 0,27Вт; ESD
0.0
NTJD4401NT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,3нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363
66.51 ₽
Доступность: 4569 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTJD4401NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,46А; 0,27Вт; ESD" 1.

NTJD5121NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,295А; 0,25Вт; ESD
0.0
NTJD5121NT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,9нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363
36.70 ₽
Доступность: 2165 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTJD5121NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,295А; 0,25Вт; ESD" 1.

NTJS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; 0,625Вт
0.0
NTJS3151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
67.28 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTJS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; 0,625Вт" 1.

NTJS3157NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 1Вт; SC70-6,SC88,SOT363
0.0
NTJS3157NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
63.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTJS3157NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 1Вт; SC70-6,SC88,SOT363" 1.

NTJS4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 1Вт
0.0
NTJS4151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
46.64 ₽
Доступность: 160 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTJS4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 1Вт" 1.

NTK3043NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,185А; 0,44Вт; SOT723; ESD
0.0
NTK3043NT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
29.82 ₽
Доступность: 848 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTK3043NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,185А; 0,44Вт; SOT723; ESD" 1.

NTK3134NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,64А; 0,45Вт; SOT723
0.0
NTK3134NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
58.87 ₽
Доступность: 160 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTK3134NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,64А; 0,45Вт; SOT723" 1.

NTK3139PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,57А; 0,45Вт; SOT723
0.0
NTK3139PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
32.87 ₽
Доступность: 775 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTK3139PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,57А; 0,45Вт; SOT723" 1.

NTLJD3119CTBG, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
0.0
NTLJD3119CTBG
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN6 МонтажSMD
53.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTLJD3119CTBG, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 3000.

NTLUD4C26NTAG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,3А; 1,7Вт; uDFN6
0.0
NTLUD4C26NTAG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусuDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTLUD4C26NTAG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,3А; 1,7Вт; uDFN6" 1.

NTMD6N02R2G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,5А; 2Вт; SO8
0.0
NTMD6N02R2G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTMD6N02R2G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,5А; 2Вт; SO8" 1.

NTMD6P02R2G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,7А; 2Вт; SO8
0.0
NTMD6P02R2G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTMD6P02R2G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,7А; 2Вт; SO8" 1.

NTMFS5C604NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 203А; 100Вт; DFN5x6
0.0
NTMFS5C604NLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Доступность: 875 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTMFS5C604NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 203А; 100Вт; DFN5x6" 1.

NTMFS5C670NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; Idm: 440А; 1,8Вт; DFN5x6
0.0
NTMFS5C670NLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD
408.26 ₽
Доступность: 1622 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTMFS5C670NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; Idm: 440А; 1,8Вт; DFN5x6" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторные модули MOSFET
Транзисторы многоканальные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом типа P
Транзисторы - неклассифицированные
Транзисторы биполярные
Транзисторы однопереходные
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж