Товары из категории транзисторы униполярные - страница 441

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVJD4401NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,46А; 0,14Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
33.64 
Доступность: 3050 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVJD5121NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,212А; 0,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVMFD5877NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 12А; 12Вт; DFN8; 5x6мм" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVMFD5C462NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 52А; 25Вт; DFN8; 5x6мм" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
438.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVMFS5113PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -45А; 75Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVMFS5A160PLZT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; 100А; 200Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD
461.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVMFS5C430NLAFT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 140А; Idm: 900А; 53Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVMFS5C604NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 203А; 100Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVMFS6H800NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 20А; 100Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора46нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVMFS6H818NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 87А; Idm: 900А; 68Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
36.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVR4003NT3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,37А; 0,69Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
110.86 
Доступность: 1565 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVR4501NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
73.39 
Доступность: 3333 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVR5124PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,67А; 0,19Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD
71.10 
Доступность: 263 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVR5198NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
152.14 
Доступность: 1044 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVTFS5116PLTAG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; 1,6Вт; WDFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
58.10 
Доступность: 2712 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVTJD4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,18нC КорпусSOT23 МонтажSMD
57.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVTR0202PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -400мА; Idm: -1А; 225мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVTR4502PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,56А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
58.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVTR4503NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,5А; 0,73Вт; SOT23" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT23, TO236AB
21.41 
Доступность: 2582 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX138AKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,12А; 0,265Вт; SOT23,TO236AB" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж