Товары из категории транзисторы униполярные - страница 435

Производитель
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусTO220 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
925.08 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTE2995, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5,7А; Idm: 36А; 115Вт; TO220" 1.

Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток40В Обозначение производителяNTE326
671.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTE326, Транзистор: P-JFET; полевой; 0,31Вт; TO92; 10мА" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусSC89 МонтажSMD
17.58 
Доступность: 4820 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTE4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 313мВт; SC89" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
58.10 
Доступность: 6879 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTE4153NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,66А; 0,3Вт; SC89" 1.

Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-50В Напряжение сток-исток50В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTE458, Транзистор: N-JFET; полевой; 50В; 20мА; 0,25Вт; TO92; Igt: 10мА" 1.

Вид упаковкироссыпью КорпусTO72 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-50В Напряжение сток-исток50В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTE459, Транзистор: N-JFET; полевой; 50В; 10мА; 0,3Вт; TO72; Igt: 10мА" 1.

Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-35В Напряжение сток-исток35В
237.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTE468, Транзистор: N-JFET; полевой; 35В; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
105.50 
Доступность: 28 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTE491, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусTO237 МонтажTHT Напряжение сток-исток60В
1 015.29 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTE491T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 1А; 400мВт; TO237; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
201.07 
Доступность: 1227 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; 2,3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,6нC КорпусSOT223 МонтажSMD
123.09 
Доступность: 1062 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTF3055-100T1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; 2,1Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT223 МонтажSMD
120.80 
Доступность: 278 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTF3055L108T1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,4А; Idm: 9А; 1,3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTF5P03T3G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 3,13Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
141.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGD1100LT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 8В; 2,4А; Idm: 10А; 430мВт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
98.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGD3148NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,2А; 0,9Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD
100.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGD4167CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
130.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3130NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; Idm: 19А; 600мВт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
181.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3136PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,6А; Idm: -20А; 700мВт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
129.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3433T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,35А; Idm: -14А; 1Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
94.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTGS3441T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,35А; 1Вт; TSOP6" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж