Товары из категории транзисторы униполярные - страница 588

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
253.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMHC3F381N8TC, Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; 30/-30В; 3,98/-3,36А; 0,87Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяZXMHC6A07N8TC Полярностьполевой
250.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMHC6A07N8TC, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
395.26 
Доступность: 2735 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMHC6A07T8TA, Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; 60/-60В; 1,4/-1,2А; 1,3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
71.87 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A07FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,8А; 0,625Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
100.15 
Доступность: 527 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A07FTA, Транзистор N-канальный MOSFET; полевой; 100 В; 0,8 А; 0,625 Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
127.68 
Доступность: 1659 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A07ZTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,1А; 1,5Вт; SOT89" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
368.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A09KTC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 7,1А; 4,31Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
181.19 
Доступность: 303 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A11GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
185.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A11KTC, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,1А; 4,06Вт; TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
235.47 
Доступность: 971 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A25GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,7А; 2Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
178.90 
Доступность: 72 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10B08E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,5А; 1,1Вт; SOT26" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
87.16 
Доступность: 1480 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2A01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,9А; Idm: 8А; 0,625Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
199.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2A03E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,4А; 1,1Вт; SOT26" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
98.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2A14FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,3А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
94.04 
Доступность: 2405 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2B01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,1А; Idm: 11,8А; 0,625Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
83.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2F30FHQTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; 0,96Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
72.63 
Доступность: 2898 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2F30FHTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; 0,96Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
56.57 
Доступность: 738 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN2F34FHTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,9А; 0,95Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
78.75 
Доступность: 4147 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3A01FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,6А; 0,806Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT26 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
186.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "ZXMN3A03E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,6А; 1,1Вт; SOT26" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж